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Ge掺杂GaN晶体双光子诱导超快载流子动力学的飞秒瞬态吸收光谱研究

方宇 吴幸智 陈永强 杨俊义 宋瑛林

Ge掺杂GaN晶体双光子诱导超快载流子动力学的飞秒瞬态吸收光谱研究

方宇, 吴幸智, 陈永强, 杨俊义, 宋瑛林, 等
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出版历程
  • 收稿日期:  2020-03-16
  • 上网日期:  2020-05-25

Ge掺杂GaN晶体双光子诱导超快载流子动力学的飞秒瞬态吸收光谱研究

  • 1. 苏州科技大学
  • 2. 中国,苏州,苏州科技大学,数学与物理学院微纳热流技术与能量应用江苏省重点实验室
  • 3. 苏州科技大学 数理学院
  • 4. soochow university
  • 5. 苏州大学物理科学与技术学院

摘要: 本文利用飞秒瞬态吸收光谱技术,在近红外波段对Ge掺杂GaN(GaN: Ge)晶体进行了超快载流子动力学研究.在双光子激发下,瞬态吸收动力学呈现出双指数衰减,其中慢过程寿命随着泵浦光强增加而增加.瞬态吸收响应随着探测波长而单调增强,并在~1050 nm处由空穴吸收占据主导.利用简化模型模拟载流子动力学发现,GaN: Ge中碳杂质形成的深受主能级对空穴有很强的俘获能力,并且引起了缺陷发光.在较适中的载流子注入下,n型GaN中的载流子寿命可以通过控制缺陷浓度和载流子浓度来共同调控,使其可应用于发光二极管和光通信等不同的领域.

English Abstract

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