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电子回旋共振等离子体特性及其对生长氮化镓晶膜的影响

朱鹤孙 陈广超 江德仪 姚鑫兹 杜小龙

电子回旋共振等离子体特性及其对生长氮化镓晶膜的影响

朱鹤孙, 陈广超, 江德仪, 姚鑫兹, 杜小龙
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-08-13
  • 修回日期:  1998-08-28
  • 刊出日期:  1999-02-20

电子回旋共振等离子体特性及其对生长氮化镓晶膜的影响

  • 1. (1)北京理工大学,北京 100081; (2)中国科学院物理研究所,北京 100080; (3)中国科学院物理研究所,北京 100080;北京理工大学,北京 100081

摘要: 为了解并优化在电子回旋共振等离子体辅助化学汽相沉积GaN晶膜的工艺研究中的等离子体特性,利用朗缪尔探针及法拉第筒系统地测量了离子密度(Ni)、等离子体势(Vp)、电子温度(Te)及离子流强(Ji)等多个等离子体参量随微波功率(Pw)及沉膜室气压(p)变化的关系.给出了在Pw=850W,p=0.22Pa时,上述等离子体参量的轴向及径向分布.GaN晶膜的生长速率、电学及晶体学性能

English Abstract

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