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65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制

马武英 姚志斌 何宝平 王祖军 刘敏波 刘静 盛江坤 董观涛 薛院院

65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制

马武英, 姚志斌, 何宝平, 王祖军, 刘敏波, 刘静, 盛江坤, 董观涛, 薛院院
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出版历程
  • 收稿日期:  2017-11-28
  • 修回日期:  2018-02-07
  • 刊出日期:  2019-07-20

65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制

  • 1. 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024;
  • 2. 西北核技术研究所, 西安 710024
  • 通信作者: 姚志斌, yaozhibin@nint.ac.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金重大项目(批准号:11690043)和强脉冲辐射模拟与效应国家重点实验室(批准号:SKLIPR1505Z)资助的课题.

摘要: 对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现出较强的抗总剂量性能;在累积相同总剂量时,PMOSFET的辐照损伤远大于NMOSFET.结合理论分析和数值模拟给出了PMOSFET的辐射敏感位置及辐射损伤的物理机制.

English Abstract

参考文献 (20)

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