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低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应

张廷庆 刘传洋 刘家璐 王剑屏 黄智 徐娜军 何宝平 彭宏论 姚育娟

低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应

张廷庆, 刘传洋, 刘家璐, 王剑屏, 黄智, 徐娜军, 何宝平, 彭宏论, 姚育娟
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-04-23
  • 修回日期:  2001-07-03
  • 刊出日期:  2001-12-20

低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应

  • 1. (1)西安电子科技大学微电子学研究所,西安710071; (2)西北核技术研究所,西安710024

摘要: 对金属氧化物半导体(MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究.对不同剂量率、不同温度辐照后MOS器件的阈值电压漂移进行了比较.结果表明,低剂量率辐照下,感生界面态要受到辐照时间的长短以及生成的氢离子数目的影响,辐照时间越长,生成的氢离子越多,感生界面态密度越大;温度对界面态的影响与界面态建立的时间有关,低温辐照时,界面态建立的时间要加长

English Abstract

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