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利用强流脉冲离子束技术在室温下沉积类金刚石薄膜研究

梅显秀 徐军 马腾才

利用强流脉冲离子束技术在室温下沉积类金刚石薄膜研究

梅显秀, 徐军, 马腾才
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-11-16
  • 刊出日期:  2005-05-31

利用强流脉冲离子束技术在室温下沉积类金刚石薄膜研究

  • 1. 三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学,大连116024
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号 :1983 5 0 3 0 )资助的课题~~

摘要: 利用强流脉冲离子束技术在Si基体上快速大面积沉积类金刚石(DLC)薄膜.电压为250kV,束流密度为250A·cm-2,脉宽为80—100ns,能流密度为5J·cm-2的离子束(主要由碳离子和氢离子组成)聚焦到石墨靶材上,使石墨靶材充分蒸发和电离,在石墨靶的法线方向的Si基体上沉积非晶的碳薄膜.Raman谱分析显示,所沉积薄膜为类金刚石薄膜.随着靶材与基体之间距离的减小,薄膜中sp3碳成分含量增加,同时硬度值也有所增大,并且薄膜的摩擦系数和表面粗糙度增加.x射线光电子能谱(XPS)分析显示薄膜中的sp3碳

English Abstract

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