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热丝化学气相沉积技术低温制备多晶硅薄膜的结构与光电特性

朱美芳 刘丰珍 刘金龙 韩一琴 汪六九

热丝化学气相沉积技术低温制备多晶硅薄膜的结构与光电特性

朱美芳, 刘丰珍, 刘金龙, 韩一琴, 汪六九
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-01-21
  • 修回日期:  2003-03-28
  • 刊出日期:  2003-11-20

热丝化学气相沉积技术低温制备多晶硅薄膜的结构与光电特性

  • 1. (1)中国科学院研究生院物理系,北京 100039; (2)中国科学院研究生院物理系,北京 100039 ;中国科学院半导体研究所,北京 100083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000028208)资助的课题.

摘要: 以金属W和Ta为热丝,采用热丝化学气相沉积 ,在250℃玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.研究了热丝温度、沉积气压、热丝与衬底间距等沉积参数对硅薄膜结构和光电特性的影响,在优化条件下获得晶态比Xc>90%,暗电导率σd=10-7—10-6Ω -1cm-1,激活能Ea=0.5eV,光能隙Eopt≤1.3 eV的多晶硅薄膜.

English Abstract

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