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衬底对化学气相沉积法制备氧化硅纳米线的影响

闫小琴 刘祖琴 唐东升 慈立杰 刘东方 周振平 梁迎新 袁华军 周维亚 王 刚

衬底对化学气相沉积法制备氧化硅纳米线的影响

闫小琴, 刘祖琴, 唐东升, 慈立杰, 刘东方, 周振平, 梁迎新, 袁华军, 周维亚, 王 刚
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-07-01
  • 刊出日期:  2003-01-05

衬底对化学气相沉积法制备氧化硅纳米线的影响

  • 1. 中国科学院物理研究所,中国科学院凝聚态物理中心,北京 100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:19834080)资助的课题.

摘要: 通过化学气相沉积法在不同衬底上制备了大量的氧化硅纳米线.选用衬底为Si片、带有约100nm厚SiO2氧化层Si片和石英片.利用场发射扫描电子显微镜(SEM)和透射电镜(TEM,配备有能谱仪)对样品的表面形貌、结构和成分进行研究.结果表明:这些纳米线都为非晶态,但在不同衬底上生长的纳米线形貌、尺寸和化学成分不同.讨论了各种衬底对不同特征氧化硅纳米线生长的影响.

English Abstract

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