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在硅晶体中由螺位错引起的电子散射

善甫康成 黄亨吉

在硅晶体中由螺位错引起的电子散射

善甫康成, 黄亨吉
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出版历程
  • 收稿日期:  1983-08-11
  • 刊出日期:  2005-03-25

在硅晶体中由螺位错引起的电子散射

  • 1. (1)广岛大学物性系; (2)延边大学物理系

摘要: 本文讨论硅晶体中由〈110〉螺位错引起的电子散射,用紧束缚近似只考虑s电子和p电子。用长波近似只考虑Γ附近的电子散射。此散射近似地服从基尔霍夫-惠更斯形式的积分方程。用规范变换和格林函数方法解出了散射方程。确认了在硅复杂能带的情况下也同单一能带的情况一样,在位错的下游侧出现电子波播及不到的影子。

English Abstract

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