搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

等离子体氧轰击硅生成缺陷的研究

王放平 徐建国 孙恒慧

等离子体氧轰击硅生成缺陷的研究

王放平, 徐建国, 孙恒慧
PDF
导出引用
  • 本文对等离子体氧轰击硅产生的缺陷进行了研究。发现等离子体氧轰击在硅中引入两个缺陷E1(Ec—0.46eV)及E2(Ec—0.04eV)。测量了缺陷的光电离截面谱,分析表明,缺陷E2的电子声子相互作用很强,其Frank-Condon移动达0.76eV,缺陷E1的电子声子相互作用较小,其Frank-Condon移动为0.04eV。由实验结果得到与缺陷E1、E2相耦合的声子模分别为hωp(1)=28meV,hωp(2)=20meV。
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  3738
  • PDF下载量:  450
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1986-05-12
  • 刊出日期:  2005-03-20

等离子体氧轰击硅生成缺陷的研究

  • 1. 复旦大学物理系

摘要: 本文对等离子体氧轰击硅产生的缺陷进行了研究。发现等离子体氧轰击在硅中引入两个缺陷E1(Ec—0.46eV)及E2(Ec—0.04eV)。测量了缺陷的光电离截面谱,分析表明,缺陷E2的电子声子相互作用很强,其Frank-Condon移动达0.76eV,缺陷E1的电子声子相互作用较小,其Frank-Condon移动为0.04eV。由实验结果得到与缺陷E1、E2相耦合的声子模分别为hωp(1)=28meV,hωp(2)=20meV。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回