搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

分子束外延GaAs/Si材料的喇曼散射研究

胡福义 李爱珍

分子束外延GaAs/Si材料的喇曼散射研究

胡福义, 李爱珍
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2351
  • PDF下载量:  497
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1990-08-06
  • 刊出日期:  2005-07-01

分子束外延GaAs/Si材料的喇曼散射研究

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所,上海,200030

摘要: 对逐层腐蚀的GaAs/Si材料进行喇曼散射实验,研究晶格振动声子谱沿外延生长方向的剖面分布,发现GaAs外延层从表面到界面经历着从双轴张应力到双轴压应力的变化。用Anastassakis等人提出的特殊相关模型对GaAsLO声子的谱形进行分析,发现GaAs外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄(从1μm—500?)是渐渐退化的,这是由于界面失配位错进入外延层所致。对GaAs LO声子与TO声子强度之比分析表明:外延层厚度从3.3μm变化到1μm左右时,其晶体质量并不是简单地随着厚度的减薄而退化,在1.3μm左右外延层晶体质量反而变好。对这种现象做了详细的讨论。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回