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注硅半绝缘GaAs的深能级

陈开茅 武兰青 邱素娟

注硅半绝缘GaAs的深能级

陈开茅, 武兰青, 邱素娟
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-11-10
  • 刊出日期:  2005-07-10

注硅半绝缘GaAs的深能级

  • 1. (1)北京大学物理系,北京100871; (2)机械电子工业部第十三研究所,石家庄050051
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 用深能级瞬态谱(DLTS)详细研究了硅离子注入Liquid-encapsulated Czochralski(缩写为LEC)半绝缘GaAs的深中心。结果表明,在注硅并经高温退火的有源区中观测到4个多子(电子)陷阱,E01,E02,E03和E04。它们的电子表观激活能分别为0.298,0.341,0.555和0.821eV。其中E04与EL2有关,但不是EL2缺陷。E04的电子

English Abstract

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