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n型碲镉汞MIS器件动态存储时间研究

黄河 汤定元 童斐明 郑国珍

n型碲镉汞MIS器件动态存储时间研究

黄河, 汤定元, 童斐明, 郑国珍
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-08-19
  • 刊出日期:  1994-11-20

n型碲镉汞MIS器件动态存储时间研究

  • 1. (1)湖南大学应用物理系,华南师范大学物理系; (2)中国科学院上海技术物理研究所
    基金项目: 

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室基金资助的课题.

摘要: 通过对动态存储时间的测量,分析了x=0.31的n型碲镉汞(H1-xCdxTe)MIS器件的少子暗电流机理.理论计算和实验结果都表明,在其工作温度区域(~77K),通过禁带中深能级中心辅助的间接隧道电流将限制器件的电学性能。

English Abstract

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