搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

超薄层AlGaAs样品的光调制反射谱研究

刘兴权 陆卫 穆耀明 乔怡敏 陈效双 万明芳 查访星 严立平 沈学础

超薄层AlGaAs样品的光调制反射谱研究

刘兴权, 陆卫, 穆耀明, 乔怡敏, 陈效双, 万明芳, 查访星, 严立平, 沈学础
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2540
  • PDF下载量:  466
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1996-07-15
  • 修回日期:  1997-03-10
  • 刊出日期:  1997-08-20

超薄层AlGaAs样品的光调制反射谱研究

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所;中国科学院红外物理国家重点实验室;中国高等微结构科技研究中心

摘要: 用调制光谱的方法对分子束外延(MBE)生长在GaAs(100)衬底上的一组超薄层本征型AlxGa1-xAs层进行了原位的研究.对厚度在35nm以下的一组样品观察到了若干个跃迁峰,而对厚度在100nm的样品只观察到了一个跃迁峰.观察到的各峰随厚度的改变而变化.用台阶势模型很好地解释了实验结果

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回