搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

镶嵌在氧化硅薄膜中纳米晶硅的可见光荧光谱与发光机制的研究

唐勇 陈培毅 朱美芳 陈国 许怀哲 韩一琴 谢侃 刘振祥

镶嵌在氧化硅薄膜中纳米晶硅的可见光荧光谱与发光机制的研究

唐勇, 陈培毅, 朱美芳, 陈国, 许怀哲, 韩一琴, 谢侃, 刘振祥
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  2932
  • PDF下载量:  716
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1996-05-23
  • 修回日期:  1997-03-24
  • 刊出日期:  1997-04-05

镶嵌在氧化硅薄膜中纳米晶硅的可见光荧光谱与发光机制的研究

  • 1. (1)清华大学微电子学研究所; (2)中国科学技术大学研究生院物理部半导体超晶格国家重点实验室; (3)中国科学院物理研究所
    基金项目: 

    中国科学技术大学研究生院院长基金资助的课题.

摘要: 采用对非晶氧化硅薄膜退火处理方法,获得纳米晶硅与氧化硅的镶嵌结构.室温下观察到峰位为2.40eV光致发光.系统地研究了不同退火温度对薄膜的Raman谱、光荧光谱及光电子谱的影响.结果表明,荧光谱可分成两个不随温度变化的峰位为1.86和2.30eV的发光带.Si2p能级光电子谱表明与发光强度一样Si4+强度随退火温度增加而增加.Si平均晶粒大小为4.1—8.0nm,不能用量子限制模型解释蓝绿光的发射.纳米晶硅与SiO2界面或SiO2中与氧有关的缺陷可能是蓝绿光发射的主要原因

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回