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分子束外延及溅射法制备Co/Cu多层膜结构与磁电阻的比较研究

夏慧 赵宏武 别青山 杜军 鹿牧 眭云霞 翟宏如

分子束外延及溅射法制备Co/Cu多层膜结构与磁电阻的比较研究

夏慧, 赵宏武, 别青山, 杜军, 鹿牧, 眭云霞, 翟宏如
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-10-21
  • 修回日期:  1997-01-09
  • 刊出日期:  1997-10-20

分子束外延及溅射法制备Co/Cu多层膜结构与磁电阻的比较研究

  • 1. (1)北京有色金属研究总院; (2)南京大学固体微结构物理国家重点实验室现代分析中心
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 对用分子束外延(MBE)和溅射方法制备的Co/Cu多层膜样品分别进行了结构及磁性研究.X射线分析表明两者均有良好的调制周期性,并且前者形成外延单晶结构,铁磁共振研究表明了面内六次各向异性对称的存在,说明此超晶格具有完整的面内二维结构.磁电阻测量发现,溅射制备的多层膜具有较高的磁电阻值并明显地随Cu层厚度而振荡,相应的室温磁电阻峰值分别为27%,24%,14%;而MBE制备的超晶格的磁电阻较小,其第二峰的数值只有7%.MBE超晶格界面处可能具有超顺磁性,对磁电阻和磁化强度的不同的外场依赖关系有一定的影响.

English Abstract

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