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SiOx∶H(0<x<2)薄膜光致发光的退火行为研究

程文超 马智训 廖显伯 何 杰 岳国珍 王永谦 刁宏伟 孔光临

SiOx∶H(0<x<2)薄膜光致发光的退火行为研究

程文超, 马智训, 廖显伯, 何 杰, 岳国珍, 王永谦, 刁宏伟, 孔光临
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-08-19
  • 修回日期:  1997-09-24
  • 刊出日期:  1998-03-05

SiOx∶H(0<x<2)薄膜光致发光的退火行为研究

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所,超晶格与微结构国家重点实验室,北京 100083; (2)中国科学院半导体研究所,凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 采用退火后处理的方法,使SiOx∶H(0<x<2)形成纳米硅与二氧化硅的镶嵌结构.利用红外透射谱、Raman谱和光致发光谱,系统地研究了不同退火温度对薄膜微结构及室温光致发光谱的影响.发现发光谱均由两个Gauss线组成,其中主峰随着退火温度的升高而红移,而位于835nm的伴峰不变.指出退火前在720—610nm的波长范围内强的主峰可能来源于膜中的非晶硅原子团,随退火温度的升高主峰的红移是由于非晶硅原子团的长大.而伴峰可能来自硅过剩或氧欠缺引入的某种发光缺陷.1170℃退火后在850n

English Abstract

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