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氮化硅薄膜的微结构

王卫乡 刘颂豪 陈俊芳 任兆杏

氮化硅薄膜的微结构

王卫乡, 刘颂豪, 陈俊芳, 任兆杏
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-12-08
  • 刊出日期:  1998-09-20

氮化硅薄膜的微结构

  • 1. (1)华南师范大学量子电子研究所,广州 510631; (2)华南师范大学物理系,广州 510631; (3)中国科学院等离子体物理研究所,合肥 230031
    基金项目: 

    广东省自然科学基金(批准号:970317)、高教厅科研基金(批准号:06204)及中国博士后科学基金(批准号:[1997]7号)资助课题.

摘要: 利用TEM,STM和PDS显微光度计研究了ECR-PECVD技术制备的Si3N4薄膜的微结构.结果表明:在较低沉积温度下,ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜是一种纳米α-Si3N4薄膜,其晶粒粒度在14—29nm间,而且这种薄膜具有较好的表面平整度.初步分析了ECR-PECVD制备的Si3N4在较低沉积温度下形成晶态薄膜的机理.

English Abstract

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