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Si离子注入对分子束外延Si1-xGex/Si量子阱发光特性的影响

赵国庆 王 迅 杨 宇 夏冠群

Si离子注入对分子束外延Si1-xGex/Si量子阱发光特性的影响

赵国庆, 王 迅, 杨 宇, 夏冠群
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-04-29
  • 修回日期:  1997-10-30
  • 刊出日期:  1998-06-20

Si离子注入对分子束外延Si1-xGex/Si量子阱发光特性的影响

  • 1. (1)复旦大学物理二系,上海 200433; (2)复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海 200433; (3)中国科学院上海冶金研究所,上海 200050

摘要: 对分子束外延生长带边激子发光的Si1-xGex/Si量子阱结构,通过Si离子自注入和不同温度退火,观测到深能级发光带和带边激子发光的转变.Si离子注入量子阱中并在600℃的低温退火,形成链状或小板式的团簇缺陷,它导致深能级发光带的形成,在850℃的高温退火后重新观测到带边激子发光.这种团簇缺陷的热离化能约为0.1eV,比Si中空穴或填隙原子缺陷的热激活能(约0.05eV)高.这表明早期文献中报道的深能级发光带是由类似的团簇缺陷产生的.

English Abstract

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