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BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下的近紫外光吸收增强现象研究

张琦锋 侯士敏 邵庆益 刘 盛 刘惟敏 薛增泉 吴锦雷

BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下的近紫外光吸收增强现象研究

张琦锋, 侯士敏, 邵庆益, 刘 盛, 刘惟敏, 薛增泉, 吴锦雷
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-01-06
  • 修回日期:  2000-03-07
  • 刊出日期:  2000-10-20

BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下的近紫外光吸收增强现象研究

  • 1. 北京大学电子学系,北京 100871
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69681001)和北京市自然科学基金(批准号:2992019)资助的课题.

摘要: 通过对真空蒸发沉积制备的BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下光吸收特性的测试, 实验上观察到BaO薄膜在近紫外波段的光吸收随电场强度的增加而明显增强.理论分析表明, BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下发生能带倾斜,价带电子隧穿带间位垒而在带隙 中出现的概率增加,近紫外波段光吸收增强是光子协助隧道穿越的结果.不同能量光子激发 下电场作用引起的BaO薄膜光吸收增强现象是夫兰茨-凯尔迪什(Franz-Keldysh)效应和斯塔 克(Stark)效应在金属氧化物半导体材料上的体现.

English Abstract

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