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预注入对Si1-xCx合金形成的影响

王引书 李晋闽 王玉田 孙国胜 林兰英 王衍斌

预注入对Si1-xCx合金形成的影响

王引书, 李晋闽, 王玉田, 孙国胜, 林兰英, 王衍斌
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-09-21
  • 修回日期:  2001-02-23
  • 刊出日期:  2001-07-20

预注入对Si1-xCx合金形成的影响

  • 1. (1)北京师范大学物理系,北京100875; (2)中国科学院半导体研究所,北京100083; (3)中国科学院近代物理研究所,兰州730000

摘要: 室温下在单晶Si中注入(0.6—1.5)at%的C原子,部分样品在C离子注入之前在其中注入29Si+离子产生损伤,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1-xCx合金,研究了预注入对Si1-xCx合金形成的影响.如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量,在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si1-xC

English Abstract

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