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高功率亚纳秒GaAs光电导开关的研究

施卫 张显斌 李恩玲 赵卫

高功率亚纳秒GaAs光电导开关的研究

施卫, 张显斌, 李恩玲, 赵卫
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-04-23
  • 修回日期:  2001-07-13
  • 刊出日期:  2002-04-20

高功率亚纳秒GaAs光电导开关的研究

  • 1. (1)西安理工大学应用物理系,西安710048; (2)中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,西安710068
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号 :5 0 0 770 17)

摘要: 报道了具有全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关的研制和性能测试结果.其中8mm电极间隙的GaAs开关暗态绝缘强度达28kV,分别用ns和ps激光脉冲触发开关的结果表明,开关输出电磁脉冲无晃动,电流脉冲上升时间小于200ps,脉宽达亚ns,3mm电极间隙的GaAs开关的峰值电流达560A,电磁脉冲重复率108Hz.给出不同电极间隙的GaAs开关工作于线性和lockon状态下的实验结果,测试了GaAs开关工作于lockon状态下的光能、电场阈值

English Abstract

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