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CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)晶粒的光学性质和电子结构

徐岭 马懿 李明海 黄信凡 陈坤基

CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)晶粒的光学性质和电子结构

徐岭, 马懿, 李明海, 黄信凡, 陈坤基
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-08-13
  • 修回日期:  2001-09-27
  • 刊出日期:  2002-04-20

CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)晶粒的光学性质和电子结构

  • 1. 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京210093
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号 :6 9890 2 2 5和 10 0 740 2 3)~~

摘要: 以CdSe纳米晶体为核,用胶体化学的方法,通过化学替代反应,获得了不同阱层或不同垒层的CdSeHgSeCdSe量子点量子阱(QDQW)晶体.紫外可见光吸收谱研究表明,通过调节QDQW中间HgSe阱层的厚度从0.9nm至0,可以调节QDQW颗粒的带隙从1.8变化至2.1eV,实现QDQW纳米晶体的剪裁.光致荧光(PL)谱研究显示,QDQW形成后,CdSeHgSe纳米颗粒表面态得到钝化,显现出发光强度加强的带边荧光峰.利用有效质量近似模型,对QDQW晶粒内部电子的1s—1s态进行了估算,估算结果总体趋势与实验数据相符

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