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Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究

李 彤 王怀兵 刘建平 牛南辉 张念国 邢艳辉 韩 军 刘 莹 高 国 沈光地

Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究

李 彤, 王怀兵, 刘建平, 牛南辉, 张念国, 邢艳辉, 韩 军, 刘 莹, 高 国, 沈光地
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-04-03
  • 修回日期:  2006-06-30
  • 刊出日期:  2007-01-26

Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究

  • 1. 北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京 100022
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60506012)和北京市教委重点项目(批准号:KZ200510005003)资助的课题.

摘要: 采用Delta掺杂技术制备了p型氮化镓薄膜,并利用原子力显微镜、霍尔测试、X射线衍射、荧光光谱等测试手段对样品的形貌和电导性能进行了分析,发现Delta掺杂样品比均匀掺杂样品晶体质量和电导性能都有很大提高,说明Delta掺杂可有效抑制缺陷,并对缺陷抑制机理进行了讨论;最后,对掺杂前的预通氨过程作了深入的研究,结果发现,预通氨对掺杂不益.

English Abstract

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