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65—90 nm技术节点的WCA模型和提取算法

王俊平 郝跃

65—90 nm技术节点的WCA模型和提取算法

王俊平, 郝跃
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-07-19
  • 修回日期:  2008-10-21
  • 刊出日期:  2009-06-20

65—90 nm技术节点的WCA模型和提取算法

  • 1. (1)西安电子科技大学通信工程学院,西安 710071; (2)西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
    基金项目: 

    西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200601)和西安市科技计划(批准号:CXY08018-1)资助的课题.

摘要: 在90 nm和65 nm技术节点,集成电路制造业的投资剧增而随机成品率却在下降低.为了提升随机成品率,带权关键面积的(WCA)计算和排序是关键.文中基于数学形态学提出了一种随机缺陷轮廓的WCA新模型,该模型不仅考虑了90 nm和65 nm工艺中缺陷在布线区域和空白区域的不同密度,而且也考虑了缺陷在粒径上的分布特性;同时还设计并实现了与新模型对应的WCA提取与排序算法,部分版图上的实验结果表明新WCA可以作为版图优化的代价函数,从而为随机缺陷的版图优化提供了精确依据.

English Abstract

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