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Tm2O3相对于Si的能带偏移研究

汪建军 方泽波 冀婷 朱燕艳 任维义 张志娇

Tm2O3相对于Si的能带偏移研究

汪建军, 方泽波, 冀婷, 朱燕艳, 任维义, 张志娇
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  • 利用分子束外延系统在Si (001) 衬底上制备了单晶Tm2O3薄膜, 利用X射线光电子能谱研究了Tm2O3相对于Si的能带偏移. 得出Tm2O3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV 0.2 eV和1.9 eV 0.3 eV, 并得出了Tm2O3的禁带宽度为6.1 eV 0.2 eV. 研究结果表明Tm2O3是一种很有前途的高k栅介质候选材料.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60806031, 11004130)、浙江省自然科学基金(批准号: Y6100596)和上海市重点基础研究项目(批准号: 10JC1405900)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-03-29
  • 修回日期:  2011-04-12
  • 刊出日期:  2012-01-05

Tm2O3相对于Si的能带偏移研究

  • 1. 西华师范大学物理与电子信息学院, 南充 637002;
  • 2. 绍兴文理学院物理系, 绍兴 312000;
  • 3. 复旦大学应用表面物理国家重点实验室, 上海 200433
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60806031, 11004130)、浙江省自然科学基金(批准号: Y6100596)和上海市重点基础研究项目(批准号: 10JC1405900)资助的课题.

摘要: 利用分子束外延系统在Si (001) 衬底上制备了单晶Tm2O3薄膜, 利用X射线光电子能谱研究了Tm2O3相对于Si的能带偏移. 得出Tm2O3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV 0.2 eV和1.9 eV 0.3 eV, 并得出了Tm2O3的禁带宽度为6.1 eV 0.2 eV. 研究结果表明Tm2O3是一种很有前途的高k栅介质候选材料.

English Abstract

参考文献 (24)

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