搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

基于变温霍尔效应方法的一类n-GaN位错密度的测量

何菊生 张萌 潘华清 邹继军 齐维靖 李平

基于变温霍尔效应方法的一类n-GaN位错密度的测量

何菊生, 张萌, 潘华清, 邹继军, 齐维靖, 李平
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  437
  • PDF下载量:  164
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2016-10-23
  • 修回日期:  2016-12-08
  • 刊出日期:  2017-03-20

基于变温霍尔效应方法的一类n-GaN位错密度的测量

  • 1. 南昌大学科学技术学院, 南昌 330029;
  • 2. 南昌大学材料科学与工程学院, 南昌 330031;
  • 3. 上饶职业技术学院机械工程系, 上饶 334100;
  • 4. 核技术应用教育部工程研究中心(东华理工大学), 南昌 330013;
  • 5. 南昌大学现代教育技术中心, 南昌 330031
  • 通信作者: 何菊生, Hejusheng_2004@sohu.com
    基金项目: 

    江西省自然科学基金(批准号:20151BAB207066)和南昌大学科学技术学院自然科学基金(批准号:2012-ZR-06)资助的课题.

摘要: 结合莫特相变及类氢模型,采用浅施主能量弛豫方法,计算了一类常见n-GaN光电子材料的载流子迁移率,给出了精确测定其刃、螺位错密度的电学方法.研究表明,对于莫特相变材料(载流子浓度超过1018cm-3),以位错密度Ndis、刃螺位错密度比、刃位错周围浅施主电离能D1、螺位错周围浅施主电离能D2为拟合参数的载流子迁移率模型与实验曲线高度符合,拟合所得刃、螺位错密度与X射线衍射法或化学腐蚀方法的测试结果也基本一致.实验结果表明,莫特相变材料虽然载流子浓度高、霍尔迁移率低,但其位错密度却并不一定高过载流子浓度低、霍尔迁移率高的材料,应变也无明显差异,因此,莫特相变与刃、螺位错密度及两类位置最浅的施主均无关系,可能是位置较深的施主或其他缺陷所致,需要比一般杂质带高得多的载流子浓度.该方法适合霍尔迁移率在0 K附近不为零,霍尔迁移率曲线峰位300 K左右及以上的各种生长工艺、各种厚度、各种质量层次的薄膜材料,能够对迁移率曲线高度拟合,迅速给出莫特相变材料的相关精确参数.

English Abstract

参考文献 (11)

目录

    /

    返回文章
    返回