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金辅助催化方法制备GaAs和GaAs/InGaAs纳米线结构的形貌表征及生长机理研究

苑汇帛 李林 曾丽娜 张晶 李再金 曲轶 杨小天 迟耀丹 马晓辉 刘国军

金辅助催化方法制备GaAs和GaAs/InGaAs纳米线结构的形貌表征及生长机理研究

苑汇帛, 李林, 曾丽娜, 张晶, 李再金, 曲轶, 杨小天, 迟耀丹, 马晓辉, 刘国军
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出版历程
  • 收稿日期:  2018-01-29
  • 修回日期:  2018-06-05
  • 刊出日期:  2018-09-20

金辅助催化方法制备GaAs和GaAs/InGaAs纳米线结构的形貌表征及生长机理研究

    基金项目: 

    海南省自然科学基金(批准号:2018CXTD336,618MS055,618QN241)、国家自然科学基金(批准号:61864002)和长春理工大学创新基金(批准号:000586,000943)资助的课题.

摘要: 利用金(Au)辅助催化的方法,通过金属有机化学气相沉积技术制备了GaAs纳米线及GaAs/InGaAs纳米线异质结构.通过对扫描电子显微镜(SEM)测试结果分析,发现温度会改变纳米线的生长机理,进而影响形貌特征.在GaAs纳米线的基础上制备了高质量的纳米线轴、径向异质结构,并对生长机理进行分析.SEM测试显示,GaAs/InGaAs异质结构呈现明显的柱状形貌与衬底垂直,InGaAs与GaAs段之间的界面清晰可见.通过X射线能谱对异质结样品进行了线分析,结果表明在GaAs/InGaAs轴向纳米线异质结构样品中,未发现明显的径向生长.从生长机理出发分析了在GaAs/InGaAs径向纳米线结构制备过程中伴随有少许轴向生长的现象.

English Abstract

参考文献 (21)

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