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直拉硅单晶原生漩涡缺陷的研究

段沛;高萍;唐基友

直拉硅单晶原生漩涡缺陷的研究

段沛;高萍;唐基友
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出版历程
  • 刊出日期:  1987-04-20

直拉硅单晶原生漩涡缺陷的研究

  • 1. 湖南省分析测试研究所

摘要: 本文用化学腐蚀方法, 从含有漩涡缺陷的原生CZ硅单晶中分离出尺寸在1000--6000埃间的氧沉淀, 制成萃取复型样品,用T E M 对氧沉淀作微区电子衍射分析. 同时, 观察硅薄膜中漩涡缺陷的TEM 象, 确定了二者的对应关系. 结果表明, 构成漩涡缺陷的氧沉淀主要是呈方形片的热液石英(keatite, siliea k) 及少量呈六角片的。方英石(a-cristobalite ), 沉淀片周边沿 方向, 惯习面前者的为{ 100} , 后者的为{ 1 1 1}. 样品的红外吸收光谱表明, 方片状热液石英沉淀可能与1 2 2 4 (1/cm ), 吸收峰相对应.

English Abstract

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