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Vol. 36, No. 7 (1987)

1987年04月05日
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Si-SiO2界面的粗糙度
洪国光, 黄炳忠, 余玉贞
1987, 36 (7): 829-837. doi: 10.7498/aps.36.829
摘要 +
利用椭偏反射光谱不但验证了Si-SiO2界面是一祖糙面,而且在恰当的模拟形貌下,把这界面粗糙层等效为若干子层,用有效介质理论处理。分别得到各自的介电特性。通过多相椭偏光反射光谱的理论计算值ψcal,△cal与实验值ψexp,△exp的比较,把粗糙的高度H及相关长度L确定,把不同条件下制备的样品的粗糙度和它们的电气性能相对比,发现两者之间的趋势十分一致。同时发现,在界面上Si的介电常数具有轻度的各向异性。
薄介质膜击穿全过程的探讨
陈斗南
1987, 36 (7): 838-846. doi: 10.7498/aps.36.838
摘要 +
本文提出了一个用于解释介质膜击穿全过程的新模型。在本模型中,整个击穿过程主要包含两个机构,一个是本征型的雪崩击穿,另一个是引起膜的破坏性击穿的丝状热传递。理论分析及有关的实验结果表明,本征击穿的电场强度主要取决于介质膜的带隙宽度及膜的厚度,而丝状热传递主要决定于膜的质量,特别是膜中的缺陷。文中简要讨论了膜的物理性质、工艺及测试条件对击穿的影响。
无扩散相变中界面动力学的唯象理论及其应用
张进修, 李燮均
1987, 36 (7): 847-854. doi: 10.7498/aps.36.847
摘要 +
固态相变中相界面或畴界面的平均运动速度V与有效相变驱动力△G'(相变驱动力△G与相界面运动阻力△GR之差)之间的关系可表示为V=φ(△G—△GR)。当有单向变化的外场(场强为ξ,变化速率为ξ)作用于相变系统并能诱导相界面运动时,就会产生母相/新相间的转变。在相变过程中同时叠加一个交变应力时,则可计算得界面动力学关系V=φ(△G—△GR)与相变过程内耗Q-1、相关的模量亏损(△M/M)、相变速率dF/dξ、相变应变ε0间的关系为 [d lnφ(△G-△GR)/d(△G-△GR)]= Q-1ω/n2M(dF/dξ)ξ = (△M/M)ω/nMε0(dF/dξ)ξ, 以及 (△M/M)/Q-1=ε0/n。此处ω为交变应力的圆频率,M为与振动模式有关的弹性模量,n为应力与界面运动的耦合因子。因此,界面动力学关系式的通解为 V = ∑(±n)/(α≠-1) Aα exp{[(△G-△GR)/△Gα*]α+ 1/(α+ 1)} +∑(m)/(β0) Aβ[(△G-△GR)/△Gβ*]β 此处n,m为正整数。上式中的各项参数可由实验数据确定。此外,(△M/M)/Q-1的等式还可用于判别相变过程的模量亏损中有无声子模软化的贡献。
用内耗方法研究铜的蠕变断裂过程
孔庆平, 戴勇
1987, 36 (7): 855-861. doi: 10.7498/aps.36.855
摘要 +
在文献[1]关于工业纯铝研究的基础上,研究了工业纯铜在不同条件下蠕变过程中晶界内耗峰的变化,蠕变条件分为三类:(a)较高温度、较低应力;(b)中等温度、中等应力;(c)较低温度、较高应力;使试样分别发生晶间型、混合型和穿晶型的断裂。由晶界内耗峰的变化可以推知:在较高温度、较低应力的蠕变过程中,晶界强度变化不大;在中等温度、中等应力的蠕变过程中,晶界强度有一定程度的提高;在较低温度、较高应力的蠕变过程中,晶界强度则有比较显著的提高。这说明,在蠕变过程中,晶界强度是变化着的,在不同的蠕变条件下,晶界强化的程度不同,最终导致了不同类型的蠕变断裂。这对于“等强温度”概念是一个修正和补充。
La(或混合稀土Mm)对TiFe贮氢性能的影响
梁敬魁, 饶光辉
1987, 36 (7): 862-869. doi: 10.7498/aps.36.862
摘要 +
本文用排水法测量了TiFe+La及TiFe+Mm合金的贮氢量及坪台曲线。研究La及Mm对TiFe合金活化性能的影响。实验结果表明,当TiFe合金中的La或Mm含量大于4wt%时,就可以使合金的活化性能大为改善,使之在室温附近活化。La或Mm并没有进入TiFe晶格,它以第二相出现在合金中。La或Mm主要起纯化TiFe合金的作用。吸氢机制仍取决于TiFe金属间化合物。此外,我们还根据Miedema公式计算了TiFeLayH1.0的形成焓,并与实验值作了比较。
任意磁场位形下弱相对论等离子体的普遍色散关系
郭世宠, 蔡诗东
1987, 36 (7): 870-880. doi: 10.7498/aps.36.870
摘要 +
由相对论回旋动力论方程出发,推导出弱相对论非均匀等离子体的普遍色散关系。该色散关系可以适用于任意的磁场位形和任意有限频率。在色散关系中把带有速度平方项分母的奇异积分用等离子体漂移色散函数解析地表示出来,从而可以把这一结果用于较系统地解析或半解析地研究由弱相对论效应,磁场的梯度和曲率,回旋频移等共振驱动的各种微观不稳定性的性质。由于推导时考虑了温度各向异性的麦氏分布函数,因而可以直接推广并应用到损失锥非平衡分布的情况。文中还演示了它在低杂漂移不稳定性研究中的应用。由该色散关系出发,可以简捷并系统地得到Drake等人的结果。
低杂波驱动的径向共振电子流
夏蒙棼, 吴惟敏
1987, 36 (7): 881-891. doi: 10.7498/aps.36.881
摘要 +
在低杂波驱动电流的托卡马克装置中,波还将驱动径向共振电子流。这种径向流由共振电子径向平均流和共振电子径向扩散流两部分组成。它们主要联系于波电场的角向分量、在驱动电流的弛豫过程中,两种径向流的强度分别以不同的方式发生显著变化,径向流对波的纵向相速度与电子热速度的比值极为敏感,在低相速情形有较高的径向通量,可对等离子体的行为发生重要影响。
研究价涨落化合物的一种新方法
郑杭
1987, 36 (7): 892-901. doi: 10.7498/aps.36.892
摘要 +
本文讨论两种典型的价涨落化合物——SmB6和SmS——的基态性质。由于Sm离子上的定域的直接d-f杂化被反演对称性禁戒,本文采用声子中介的定域的非直接d-f杂化模型。采用正则变换方法处理声子中介的d-f杂化项,得到一个“小极化子”类型的有效哈密顿量。应用自洽场近似处理这个有效哈密顿量,得出基态时的非零能隙和f能级的非整数占有数。这些结果可用以解释在SmB6和SmS中观察到的小能隙和价涨落现象。
穆斯堡尔谱学研究非晶TM80M20合金的微观结构
M. GHAFARY, U. GONSER, 许裕生
1987, 36 (7): 902-908. doi: 10.7498/aps.36.902
摘要 +
在室温下和4.2K下测定了非晶Fe80B20-xMx合金(M=P,C)的穆斯堡尔吸收谱。利用分布参数拟合程序得到了超精细内场Hi和同质异能移IS同类金属成份的变化关系。利用这些结果考察了非晶合金的微观结构,比较了两类结构模型:Bernal-Polk模型和微晶模型。对比非晶合金和它们的相应晶相的行为得知,这类非晶合金中不存在微晶近程序,Bernal-Polk模型对描述TM-M类非晶合金的微观结构优于微晶模型。
非线性环形光学腔中分岔混沌的新行为
赵勇, 霍裕平
1987, 36 (7): 909-914. doi: 10.7498/aps.36.909
摘要 +
利用数值模拟方法研究了非线性环形光学腔中的Ikeda方程,发现:长延时下,分岔图的拓扑结构、分岔方式、收敛速率以及周期窗口的结构都随参数B,φ0的取值不同而异。短延时下,通过适当近似,将Ikeda方程化为带有一定记亿效应的迭代映象,所得到的近似系统显示出非倍周期分岔行为,并伴有一些奇特的周期窗口,混沌区中的无限嵌套的自相似结构变得模糊,不易分辨。
稀土和锕系化合物中重费密子行为
陈长风, 章立源
1987, 36 (7): 915-923. doi: 10.7498/aps.36.915
摘要 +
本文采用周期Anderson哈密顿量研究了稀土和锕系化合物中的重费密子行为。对f电子间库仑关联项做了平均场近似并引入自能项反映多体作用的效应。对自能项采用了单格位近似,在准粒子表象中讨论了系统的性质,通过对f电子平均占据数的自洽计算,得到了准粒子有效质量,讨论了形成重费密子的条件,以及相应的磁性的变化,并做了数值计算。所得结果与最近的实验进行了比较。
退火对非晶Ge/晶态Ag迭层膜性质的影响
刘宏宝, 王冀洪, 王昌燧;, 薛白, 张裕恒
1987, 36 (7): 924-929. doi: 10.7498/aps.36.924
摘要 +
本文利用X射线衍射,扫描电子显微镜和电阻温度关系的测量,研究了非晶Ge/晶态Ag迭层膜的退火行为。低温电阻的测量温区为80—300K,同时给出了室温电阻和退火温度的关系,实验发现一个新的互扩散现象:随着退火温度的升高,Ge不断晶化,同时,部分Ge由于扩散而溶于Ag中,退火温度再升高,扩散到Ag中的Ge又重新析出,利用电阻变化估算出Ge/Ag互扩散的激活能为0.15eV。本文还讨论了退火过程中各结构下的输运性质。
液相外延GaAs1-xPx混晶的光学声子、等离子体激元和LO声子-等离子体激元耦合模
方志烈, 劳浦东, 陆卫, 叶红娟, 陶凤翔, 沈学础
1987, 36 (7): 965-973. doi: 10.7498/aps.36.965
摘要 +
在40—700cm-1波数和4.2—300K温度范围内研究了不同组份液相外延n型CaAs1-xPx样品的红外反射谱。对反射谱进行了赝谐振子拟合与K-K关系计算。从而获得了有关描述CaAs1-xPx样品的光学声子模、等离子体激元、LO声子-等离子体激元耦合模的重要物理参量及红外光学常数信息。基于这些计算结果,提出了双导带谷并计及与X能谷相联系的施主能级模型,用它解释等离子体激元频率和实验观察的三支主要的耦合模的温度变化规律。
绝缘层上半导体多晶膜激光再结晶临界条件
冷静民, 钱佑华, 林成鲁, 方芳
1987, 36 (7): 974-980. doi: 10.7498/aps.36.974
摘要 +
从理论的角度分析了绝缘衬底对其上面半导体多晶膜激光熔化再结晶过程的影响,发现低导热的绝缘层使产生固-液相变的临界激光功率有明显的降低。用喇曼光谱测量了激光再结晶SOI层中的应力。应力的出现是多晶膜内曾经发生过固-液相变的佐证。从这一思想出发,对LPCVD方法制备的大量SOI样品进行激光再结晶临界条件的研究,证明了忽略绝缘层低热导影响的模型不能解释实验结果,而经过修正的公式则可以较好地拟合实验结果。
稀土金属间化合物CeSn3和CeIn3的能带理论
叶令, 黄美纯, 朱梓忠
1987, 36 (7): 981-985. doi: 10.7498/aps.36.981
摘要 +
本文报道了CeSn3和CeIn3的能带计算结果。对其f电子的行为,以及f电子与非f原子的s,p,d电子之间的杂化进行了讨论。分析了费密能级附近的态密度分布及能带结构。
直拉硅单晶原生漩涡缺陷的研究
段沛, 高萍, 唐基友
1987, 36 (7): 986-991. doi: 10.7498/aps.36.986
摘要 +
本文用化学腐蚀方法,从含有漩涡缺陷的原生CZ硅单晶中分离出尺寸在1000—6000?间的氧沉淀,制成萃取复型样品,用TEM对氧沉淀作微区电子衍射分析。同时,观察硅薄膜中漩涡缺陷的TEM象,确定了二者的对应关系。结果表明,构成漩涡缺陷的氧沉淀主要是呈方形片的热液石英(keatite,silicak)及少量呈六角片的α方英石(α-cristobalite),沉淀片周边沿方向,惯习面前者的为{100},后者的为{111}。样品的红外吸收光谱表明,方片状热液石英沉淀可能与1224cm-1吸收峰相对应。
激光拍频波加速器的参数选择
余玮, 徐至展
1987, 36 (7): 992-997. doi: 10.7498/aps.36.992
摘要 +
本文研究了激光拍频波加速器中的三波相互作用过程。结果表明:适当地选择参数σ=ωp/(ω1-ω2)以及β=ω2/ω1(ωp,ω1,ω2分别为等离子体频率及两束激光频率),即可用较弱的激光造成很强的拍频等离子体波,并使注入等离子体的电子获得显著的能量增益。
Na原子高里德伯态的波函数和振子强度
张学荣, 李白文, 陈暧球, 张承修
1987, 36 (7): 998-1003. doi: 10.7498/aps.36.998
摘要 +
用我们提出的一种具有解析解的原子唯象势模型,计算了Na原子里德伯态(10≤n≤40)的波函数和ns—n'p,np—n'd,nd—n'f高里德伯态间的振子强度,与CA方法得到的结果很接近。计算结果表明,上述振于强度满足某种标度律。
蒙脱石相变中(00l)衍射线的消失和再现
朱斌, 王大志, 周贵恩, 俞文海
1987, 36 (7): 1004-1009. doi: 10.7498/aps.36.1004
摘要 +
用X射线粉晶衍射方法(XRD)研究了不同温度下脱水的蒙脱石样品,发现经一定程度的脱水蒙脱石(00l)特征衍射会消失,在一定条件下又可再现。讨论了其结晶学意义及可能的相变过程。
晶格振动声学支的边界耦合效应
李景德
1987, 36 (7): 1010-1018. doi: 10.7498/aps.36.1010
摘要 +
在计入最近邻二体和三体作用的简谐近似下,解出了N×N正方简单格子的振动模。边界效应使通常将声子分支和用波矢量来标注的物理图象完全改变了。只能按空间型将声子分类。数字计算表明共价结构性质的加强可导致出现边界耦合软模。还给出了旋转模、内旋转模、公度非公度结构模,以及表面波声子模等一些新结果。边界耦合作用消除了声子的一些简并,使其频谱向高端和低端散开。理论被推广到三维一般情况,说明了边界耦合效应的主要结果。
通过平均场处理的严格重正化群变换方法对Potts模型的应用
叶青, 唐坤发, 胡嘉桢
1987, 36 (7): 1019-1026. doi: 10.7498/aps.36.1019
摘要 +
本文运用作者所发展的严格decimation-平均场近似方法对Potts模型的临界指数作了计算。所得结果与严格解符合得很好,而与计算工作量相当的重正化群方法相比,精确度大为提高。
LINE-TYING效应对热电子交换模的影响
黄朝松, 任兆杏, 邱励俭
1987, 36 (7): 1027-1032. doi: 10.7498/aps.36.1027
摘要 +
本文分析了冷等离子体和导电端板的line-tying效应对有限长度热电子等离子体交换模的影响,导出了包含line-tying效应的色散关系,得到了新的稳定性判据。强line-tying效应的存在,使稳定性所要求的冷电子同热电子的密度比大大减少。line-tying效应对低模数的长波扰动具有更好的稳定作用。
Fe80B20,Fe80Si6B14金属玻璃中近邻原子间的相互作用
王文采, 陈玉
1987, 36 (7): 1033-1040. doi: 10.7498/aps.36.1033
摘要 +
用转靶X射线源及弯晶EXAFS谱仪测定了Fe80B20及Fe80Si6B14金属玻璃中铁的X射线K吸收谱。由EXAFS谱确定了两种金属玻璃的近邻结构参量。此外,通过测定XANES谱并与纯铁及其有关的化合物Fe2B,FeB中铁的XANES比较发现:吸收边能量、“白线”结构等均出现一些变化,表明两种金属玻璃的近邻原子Fe-B,Fe-Si以及Fe-Fe之间的相互作用比铁与硼所形成的稳定化合物中要强,这对于决定金属玻璃的短程序结构具有重要的作用。
非晶态InSb及其亚稳中间相的霍耳效应和超导电性
张裕恒, 曹效文, 赵典锋
1987, 36 (7): 1041-1047. doi: 10.7498/aps.36.1041
摘要 +
实验研究了非晶态InSb及其结晶相变过程中的霍耳效应。结果表明,金属型非晶态InSb以电子导电为主,半导体型非晶态InSb以空穴导电为主;金属型非晶态InSb中的第一电导跃变是一种由类液非晶态到类点阵非晶态的结构弛豫过程;第三电导跃变是富In或富Sb固溶体相在半导体InSb晶界上析出并集中所引起的;金属型非晶态InSb的三种不同的结晶相变类型具有鲜明不同的输运性质;第二电导跃变峰所对应的亚稳金属相超导Tc的提高,可能主要起因于电子浓度的增加。
研究简报
一种产生Einstein约化场方程解的方法
侯伯宇, 李卫
1987, 36 (7): 930-934. doi: 10.7498/aps.36.930
摘要 +
本文给出了在Ernst场方程的解空间上的一种新变换,并且研究了这种变换与Ernst场方程解之间的关系。证明了在这种变换下,Ernst场方程是不变的,即由我们的这种变换可产生Ernst场方程的新解。最后还讨论了这种变换与Virasoro代数的关系。
强磁场中二维电子的量子运动
熊小明, 周世勋
1987, 36 (7): 935-939. doi: 10.7498/aps.36.935
摘要 +
在对称规范势下,给出了二维电子在强磁场中运动的波函数的一般解析形式。通过对两个无相互作用电子体系的讨论,推出了两种不同表象中波函数的变换关系。这一变换关系对考虑电子间的相互作用很有帮助。
Nb3Sn超导材料的高场钉扎行为
周廉, 崔长庚, 曹忠胜
1987, 36 (7): 940-944. doi: 10.7498/aps.36.940
摘要 +
本文利用线性回归分析法处理扩散和气相沉积Nb3Sn带材样品以及青铜法多芯Nb3Sn线材样品在高场(22T)下的临界电流测试数据,得到Jc-B曲线和钉扎力随磁场变化的经验规律。该规律与Kramer模型的钉扎力公式不一致,有待提出新的理论模型加以说明。
非晶态软磁薄膜Fe90-xCoxZr10的平面霍耳效应和磁阻效应
张文兴, 程先安, 王绪威, 王荫君
1987, 36 (7): 945-950. doi: 10.7498/aps.36.945
摘要 +
本文研究了非易态软磁薄膜Fe90-xCoxZr10的平面霍耳电压及磁阻随磁场方向、成分和温度的变化规律。采用通常的六探针法进行了测量。结果表明平面霍耳电压和磁阻分别满足经验公式Vy=pM2Isin2θ和△ρ=cM2cos2θ;并给出了Vy表达式中的常数项p正比于ρ2。此外,样品Co90Zr10和样品Fe70Co20Zr10晶化前后的Vy变化正好相反,即富钴成分的样品晶化后,Vy增加,而富铁成分的样品Vy下降。
掺Fe和掺Cr的LiNbO3单晶的全部弹性和压电参数的布里渊散射测量
蒋最敏, 刘玉龙, 张鹏翔
1987, 36 (7): 951-955. doi: 10.7498/aps.36.951
摘要 +
本文测量了抛光球形单晶样品某一晶面内的布里渊散射。从得到的声速各向异性求出Fe:LiNbO3和Cr:LiNbO3晶体的全部弹性和压电参数,同纯LiNbO3进行了比较,讨论指出:若干弹性张量组元的正、负号不确定是由坐标系的选择造成的。
Na2O-Al2O3-P2O5系统玻璃中的[Al-O-P]-基团
金宜芬, 陈祥生, 黄熙怀
1987, 36 (7): 956-959. doi: 10.7498/aps.36.956
摘要 +
本文报道Na2O-Al2O3-P7O5系统玻璃中[Al-O-P]-基团的Raman谱。我们把高频峰有规律地移向低波数归结为由[Al-O-P]-基团构成的玻璃网络聚合度下降造成。
HT-6B托卡马克装置上的硬X射线起伏测量
王正民, 李林忠
1987, 36 (7): 960-964. doi: 10.7498/aps.36.960
摘要 +
用NaI(Tl)晶体闪烁探测器和金硅面垒型半导体探测器,在HT-6B托卡马克装置上对X射线起伏进行了相关测量。观测了硬X射线发射和起伏锯齿波形。实验证实:在2—25kHz频区内的硬X射线起伏也是MHD扰动所致。
赝标介子的唯象模型(Ⅰ)
章正刚, 吴自玉, 兰慧彬, 汪克林, 刘耀阳, 冼鼎昌
1987, 36 (7): 1048-1055. doi: 10.7498/aps.36.1048
摘要 +
本文基于场论中的旋量-旋量Bethe-Salpeter方程(以下简称B-S方程),提出了一种满足相对论协变性要求的强子间的唯象平底势。并计算得到了在动量中的0-介子波函数。
一般情况下二维非线性σ模型的等时Kac-Moody代数
王小林, 戴元本
1987, 36 (7): 1056-1059. doi: 10.7498/aps.36.1056
摘要 +
在本文中对一般的紧致单纯群和耦合常数λ0的任意值证明了带Wess-Zumino项的二维非线性σ模型的等时流代数构成带中心荷的Kac-Moody代数。
非晶态NbNi合金的双居里点现象
陈兆甲, 吴柏枚, 刘砚章, 刘志毅
1987, 36 (7): 1060-1063. doi: 10.7498/aps.36.1060
摘要 +
在非晶态Nb1-xNix(x=0.564,0.598,0.65)合金的低场交流磁化率中,既观察到巡游电子磁性的双居里点现象,又看到x=0.598,0.65这两个样品在低温端还出现自旋玻璃冻结的典型的磁化率尖峰。在这个合金系统中巡游电子磁性和局域磁矩的表现都很明显。
As+注入硅的紫外-可见椭圆偏振光谱
江任荣, 项颂光, 王浩文, 徐泽鸿, 莫党
1987, 36 (7): 1064-1069. doi: 10.7498/aps.36.1064
摘要 +
本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×1016—3×1012cm-2的As+注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As+注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε2-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε2-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。
用HREELS研究氢在GaAs和InP的(111),(111)表面上的吸附
侯晓远, 杨曙, 董国胜, 丁训民, 王迅
1987, 36 (7): 1070-1074. doi: 10.7498/aps.36.1070
摘要 +
氢在GaAs和InP表面上的吸附可以用高分辨率电子能量损失谱(HREELS)来探测。Ga—H,As—H,In—H和P—H键的伸缩振动各自对应于不同的能量损失。但是As—H振动极容易和Ga—H振动追加声子损失相混淆,只有从损失峰的相对强度比较上来区别。实验得到吸附的氢与表面原子的成键情况取决于表面的原子结构及电子分布。对于GaAs(111)面,低暴露量时只形成Ga—H键,而高暴露量时还可以形成As—H键。而InP(111)表面由于是经过磷气氛退火处理的,在低暴露量下In—H与P—H键均可形成。InP(Ⅲ)面上只看到P—H损失峰,说明这个表面是完全以P原子结尾的。在(Ⅲ)面上出现小面的情形,则表面Ⅲ族和Ⅴ族原子均可同氢成键。
SrTiO3表面O2,H2O吸附的UPS,XPS研究
陈芸琪, 林彰达, 齐上雪, 谢侃, 常英传, 侯德森, 王泰宏
1987, 36 (7): 1075-1080. doi: 10.7498/aps.36.1075
摘要 +
观察到还原SrTiO3表面三价Ti离子引起的表面态的存在。分析了它在太阳光分解水中所起作用,以及光照在恢复活性中的作用。
在具有长程应变场的GGG晶体中螺型位错的应力双折射像
葛传珍, 冯端, 张京
1987, 36 (7): 1081-1086. doi: 10.7498/aps.36.1081
摘要 +
基于弹性各向同性和弹光各向异性的考虑,获得了长程应变场中沿位错线观察的螺型位错双折射像的解析表达式以及其计算机模拟像,成功地解释了GGG晶体中实验观察到的螺型位错像所具有的两瓣一黑一白的衬度特征。
非晶态快离子导体电导特性的低频弛豫理论
丁屹, 吴昆裕, 俞文海
1987, 36 (7): 1087-1092. doi: 10.7498/aps.36.1087
摘要 +
结合快离子导体玻璃的结构特点和倪嘉陵(Ngai)的低能激发、弛豫、耗散统一理论,依据非Markov方程探讨了快离子的输运特点,导出了非晶态快离子导体电导的频率-温度依赖关系。理论方法与现有快离子导体电导理论不同,结果表明与实验数据符合较好,理论能较好地描述低温下电导的色散现象。色散的程度与表征物质内部结构差异的参数——红外发散指数n有关。
晶体中稀土离子能级重心的位移
张思远
1987, 36 (7): 1093-1098. doi: 10.7498/aps.36.1093
摘要 +
本文从理论上讨论了晶场作用对稀土离子能级重心位移的影响,具体计算了J混效应对15个含Nd3+离子的晶体中的4IJ能级重心的位移。结果指出J混效应加宽了光谱项2S+1L由于自旋轨道耦合导致的能级劈裂宽度,并且与晶体基质的组成、结构有关。
α-LiIO3的等温压缩和高温高压下的相变
胡静竹, 陈良辰, 王莉君, 唐汝明, 车荣钲
1987, 36 (7): 1099-1104. doi: 10.7498/aps.36.1099
摘要 +
用金刚石压砧高压X射线衍射技术研究了α-LilO3在室温高压下的压缩行为,压力达23.0GPa。观察到晶格压缩的各向异性,其c/a轴比以-6.187×10-3/GPa的速率减小。得到其常压下的体弹模量B0=39.2GPa,体弹模量对压力的一阶导数B'0=3.787。α-LiIO3在高温高压下转变成四方结构,与淬火卸压所得的ε-LiIO3结构一致。