| [1] |
徐军, 陈钢. 热处理温度对量子点粒度分布的影响. 物理学报,
2015, 64(12): 127302.
doi: 10.7498/aps.64.127302
|
| [2] |
贾雅琼, 王殊, 朱明, 张克声, 袁飞阁. 气体声弛豫过程中有效比热容与弛豫时间的分解对应关系. 物理学报,
2012, 61(9): 095101.
doi: 10.7498/aps.61.095101
|
| [3] |
宋立军, 严冬, 盖永杰, 王玉波. Dicke模型的量子经典对应关系. 物理学报,
2011, 60(2): 020302.
doi: 10.7498/aps.60.020302
|
| [4] |
杨冲, 杨春. Si(001)表面硅氧团簇原子与电子结构的第一性原理研究. 物理学报,
2009, 58(8): 5362-5369.
doi: 10.7498/aps.58.5362
|
| [5] |
奚光平, 马向阳, 田达晰, 曾俞衡, 宫龙飞, 杨德仁. 低温退火对重掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用. 物理学报,
2008, 57(11): 7108-7113.
doi: 10.7498/aps.57.7108
|
| [6] |
崔 灿, 马向阳, 杨德仁. 低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响. 物理学报,
2008, 57(2): 1037-1042.
doi: 10.7498/aps.57.1037
|
| [7] |
徐 进, 李福龙, 杨德仁. 直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究. 物理学报,
2007, 56(7): 4113-4116.
doi: 10.7498/aps.56.4113
|
| [8] |
蒋 乐, 杨德仁, 余学功, 马向阳, 徐 进, 阙端麟. 直拉硅中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响. 物理学报,
2003, 52(8): 2000-2004.
doi: 10.7498/aps.52.2000
|
| [9] |
卢励吾, 张砚华, 徐遵图, 徐仲英, 王占国, J.Wang, WeikunGe. 快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响. 物理学报,
2002, 51(2): 367-371.
doi: 10.7498/aps.51.367
|
| [10] |
王治, 何开元, 尹君, 赵玉华. Fe-Cu-Nb-Si-B合金磁导率与温度关系. 物理学报,
1997, 46(10): 2054-2058.
doi: 10.7498/aps.46.2054
|
| [11] |
梁敬魁, 赵景泰. Si对LaNi5相关系与贮H2性能的影响. 物理学报,
1986, 35(4): 505-511.
doi: 10.7498/aps.35.505
|
| [12] |
孙凤久. 光学形式量子化算符法与矩阵法的对应关系. 物理学报,
1985, 34(3): 368-376.
doi: 10.7498/aps.34.368
|
| [13] |
严诚. 厚度、中温热处理和电场对a-Si:H的电导率激活能及其转折点的影响. 物理学报,
1982, 31(12): 62-74.
doi: 10.7498/aps.31.62
|
| [14] |
徐鸿达, 林兰英. 锑化铟的热处理. 物理学报,
1966, 22(6): 698-707.
doi: 10.7498/aps.22.698
|
| [15] |
张绮香. 束缚施主电子与Si29核超精细作用的各向异性. 物理学报,
1965, 21(6): 1139-1161.
doi: 10.7498/aps.21.1139
|
| [16] |
洪晶, 王贵华, 刘振茂, 叶以正. 硅中位错与蚀斑的对应关系. 物理学报,
1964, 20(12): 1254-1267.
doi: 10.7498/aps.20.1254
|
| [17] |
唐明道. 聚丙烯腈与硝酸银络合后的热处理产物的红外光谱. 物理学报,
1963, 19(12): 830-832.
doi: 10.7498/aps.19.830
|
| [18] |
钟文定, 杨正. 锰铋合金在不同热处理后的磁性研究. 物理学报,
1962, 18(4): 188-193.
doi: 10.7498/aps.18.188
|
| [19] |
向仁生. 国产低矽矽钢片热处理的条件. 物理学报,
1956, 12(1): 50-57.
doi: 10.7498/aps.12.50
|
| [20] |
忻贤杰. 磷光体之磷光强度与处理温度之关系. 物理学报,
1947, 7(1): 54-55.
doi: 10.7498/aps.7.54
|
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