[1] |
张季, 张德明, 王迪, 张庆礼, 孙敦陆, 殷绍唐. Bi2ZnOB2O6单晶偏振拉曼光谱. 物理学报,
2013, 62(23): 237802.
doi: 10.7498/aps.62.237802
|
[2] |
王瑞敏, 陈光德. InGaN薄膜的紫外共振喇曼散射. 物理学报,
2009, 58(2): 1252-1256.
doi: 10.7498/aps.58.1252
|
[3] |
张霞, 万松明, 殷绍唐, 尤静林, 张荣波. LiB3O5晶体高温拉曼光谱研究. 物理学报,
2009, 58(1): 373-377.
doi: 10.7498/aps.58.373
|
[4] |
曾令祉, 王荣平, 蒋毅坚, 朱镛, 刘玉龙. BaTiO3和Ce:BaTiO3晶体极性声子和电磁激元的喇曼散射研究. 物理学报,
1996, 45(6): 1059-1067.
doi: 10.7498/aps.45.1059
|
[5] |
蒋毅坚, 曾令祉, 王荣平, 朱镛, 刘玉龙. BaTiO3和Ce:BaTiO3单晶的高温喇曼散射研究. 物理学报,
1996, 45(8): 1402-1408.
doi: 10.7498/aps.45.1402
|
[6] |
梁伟, 江少林, 华保盈, 蒋毅坚, 陈钢, 张克从, 魏明. KTiOPO4晶体纵横模劈裂的喇曼谱. 物理学报,
1994, 43(9): 1537-1543.
doi: 10.7498/aps.43.1537
|
[7] |
胡福义, 李爱珍. 分子束外延GaAs/Si材料的喇曼散射研究. 物理学报,
1991, 40(6): 962-968.
doi: 10.7498/aps.40.962
|
[8] |
方炎, 傅石友, 张鹏翔, 于永澄. 少量KCl引起水杨酸表面增强喇曼散射谱的异常变化. 物理学报,
1991, 40(4): 541-546.
doi: 10.7498/aps.40.541
|
[9] |
王应宗, 傅克德. 利用偏振喇曼谱研究KBr:Pb2+单晶中的HD色心. 物理学报,
1991, 40(1): 84-88.
doi: 10.7498/aps.40.84
|
[10] |
朱丹, 张鹏翔, 周仲璧, 杨经国. 混合溶液的布里渊散射和喇曼散射研究. 物理学报,
1989, 38(4): 683-688.
doi: 10.7498/aps.38.683
|
[11] |
洪水力. 分子晶体RbC8H5O4的振动模对称化分析和喇曼光谱研究. 物理学报,
1988, 37(9): 1450-1460.
doi: 10.7498/aps.37.1450
|
[12] |
郭有江, 于渌. 关于顺式聚乙炔共振喇曼谱的理论解释. 物理学报,
1986, 35(7): 922-930.
doi: 10.7498/aps.35.922
|
[13] |
陈亭, 洪广言. LnP5O14铁弹相变的喇曼光谱研究. 物理学报,
1986, 35(11): 1521-1527.
doi: 10.7498/aps.35.1521
|
[14] |
孟绍贤, 张伟清, 林礼煌, 林尊琪, 盛国平, 谢梓铭, 康玉英. 准稳态受激喇曼散射的时间特性. 物理学报,
1985, 34(9): 1220-1223.
doi: 10.7498/aps.34.1220
|
[15] |
宋增福, 连绍仁, 桂尤喜, 姜洁, 华道宏, 王淑坤, 侯裕台. LiYF4:Nd3+的电子喇曼散射与双光子荧光. 物理学报,
1984, 33(7): 1017-1023.
doi: 10.7498/aps.33.1017
|
[16] |
张鹏翔, 刘玉龙, 莫育俊. 钆镓石榴石单晶的喇曼光谱. 物理学报,
1983, 32(9): 1200-1203.
doi: 10.7498/aps.32.1200
|
[17] |
张富根. 圆偏振氟化氪激光在氢气中的前向受激喇曼散射. 物理学报,
1983, 32(9): 1211-1214.
doi: 10.7498/aps.32.1211
|
[18] |
杨华光, 李晨曦, 许政一. c向静电场作用下α-LiIO3单晶的喇曼谱“串线”和谱线强度改变的机理. 物理学报,
1983, 32(4): 539-543.
doi: 10.7498/aps.32.539
|
[19] |
刘颂豪, 王福贵, 余昺鲲, 刘敏, 陈奕升, 周福新. 高阶相干喇曼散射光谱研究. 物理学报,
1982, 31(3): 328-334.
doi: 10.7498/aps.31.328
|
[20] |
吴存恺, 范俊颖, 王志英. 高效率受激喇曼散射源. 物理学报,
1980, 29(5): 588-593.
doi: 10.7498/aps.29.588
|