| [1] |
范志东, 周子淳, 刘绰, 马蕾, 彭英才. Eu掺杂Si纳米线的光致发光特性. 物理学报,
2015, 64(14): 148103.
doi: 10.7498/aps.64.148103
|
| [2] |
郑玉龙, 甄聪棉, 马丽, 李秀玲, 潘成福, 侯登录. Si-Al2O3复合薄膜的室温铁磁性. 物理学报,
2011, 60(11): 117502.
doi: 10.7498/aps.60.117502
|
| [3] |
郑立仁, 黄柏标, 尉吉勇. SiO2纳米线簇、C-Si-O纳米球的制备及形貌、红外光谱和光致发光光谱研究. 物理学报,
2009, 58(12): 8612-8616.
doi: 10.7498/aps.58.8612
|
| [4] |
牛华蕾, 李晓娜, 胡冰, 董闯, 姜辛. 纳米β-FeSi2/a-Si多层膜室温光致发光分析. 物理学报,
2009, 58(6): 4117-4122.
doi: 10.7498/aps.58.4117
|
| [5] |
潘孝军, 张振兴, 王 涛, 李 晖, 谢二庆. 溅射制备纳米晶GaN∶Er薄膜的室温发光特性. 物理学报,
2008, 57(6): 3786-3790.
doi: 10.7498/aps.57.3786
|
| [6] |
蔡 懿, 王文涛, 杨 明, 刘建胜, 陆培祥, 李儒新, 徐至展. 基于强激光辐照固体锡靶产生极紫外光源的实验研究. 物理学报,
2008, 57(8): 5100-5104.
doi: 10.7498/aps.57.5100
|
| [7] |
吴卫东, 何英杰, 王 锋, 詹勇军, 白 黎, 巨 新, 陈正豪, 唐永建, 孙卫国, 潘海斌. Co:BaTiO3/Si(100)纳米复合薄膜制备、微结构及其紫外光电子能谱研究. 物理学报,
2008, 57(1): 600-606.
doi: 10.7498/aps.57.600
|
| [8] |
王英龙, 卢丽芳, 闫常瑜, 褚立志, 周 阳, 傅广生, 彭英才. 具有窄光致发光谱的纳米Si晶薄膜的激光烧蚀制备. 物理学报,
2005, 54(12): 5738-5742.
doi: 10.7498/aps.54.5738
|
| [9] |
周拥华, 张义门, 张玉明, 孟祥志. 6H-SiC pn结紫外光探测器的模拟与分析. 物理学报,
2004, 53(11): 3710-3715.
doi: 10.7498/aps.53.3710
|
| [10] |
马忠元, 黄信凡, 朱 达, 李 伟, 陈坤基, 冯 端. 原位等离子体逐层氧化a-Si:H/SiO2多层膜的光致发光研究. 物理学报,
2004, 53(8): 2746-2750.
doi: 10.7498/aps.53.2746
|
| [11] |
张德恒, 王卿璞, 薛忠营. 不同衬底上的ZnO薄膜紫外光致发光. 物理学报,
2003, 52(6): 1484-1487.
doi: 10.7498/aps.52.1484
|
| [12] |
张德恒, 刘云燕, 张德骏. 用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导. 物理学报,
2001, 50(9): 1800-1804.
doi: 10.7498/aps.50.1800
|
| [13] |
王永谦, 陈长勇, 陈维德, 杨富华, 刁宏伟, 许振嘉, 张世斌, 孔光临, 廖显伯. a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究. 物理学报,
2001, 50(12): 2418-2422.
doi: 10.7498/aps.50.2418
|
| [14] |
刘 明, 何宇亮, 江兴流, 李国华, 韩和相. 纳米硅薄膜的光致发光特性. 物理学报,
1998, 47(5): 864-870.
doi: 10.7498/aps.47.864
|
| [15] |
马智训, 廖显伯, 何 杰, 程文超, 岳国珍, 王永谦, 刁宏伟, 孔光临. SiOx∶H(0＜x＜2)薄膜光致发光的退火行为研究. 物理学报,
1998, 47(6): 1033-1040.
doi: 10.7498/aps.47.1033
|
| [16] |
林军, 张丽珠, 张伯蕊, 宗柏青, 秦国刚, 许振华. 光照下经H2O2处理的多孔硅的光致发光. 物理学报,
1994, 43(4): 646-650.
doi: 10.7498/aps.43.646
|
| [17] |
陈光华, 阎少光, 张仿清. a-C:H薄膜的光致发光. 物理学报,
1992, 41(3): 500-505.
doi: 10.7498/aps.41.500
|
| [18] |
黄旭光, 汪河洲, 佘卫龙, 李庆行, 余振新, 金波, 彭少麒. a-Si:H/a-SiNx:H多层膜的皮秒时间分辨光致发光. 物理学报,
1991, 40(10): 1677-1682.
doi: 10.7498/aps.40.1677
|
| [19] |
张仿清, 徐希翔, 陈光华, 蒋致诚, 陈正石, 齐尚奎. 用紫外光电子能谱研究a-Si1-xCx:H的价带特性. 物理学报,
1986, 35(9): 1253-1258.
doi: 10.7498/aps.35.1253
|
| [20] |
马洪磊, 周玉芳, 李敦银. 键合氢对GDa—Si:H薄膜光致发光性质的影响. 物理学报,
1986, 35(6): 725-730.
doi: 10.7498/aps.35.725
|
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