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Si∶H∶O薄膜的室温强紫外光致发光

佟 嵩 刘湘娜 高 婷 尹 浩 陈逸君 鲍希茂

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Si∶H∶O薄膜的室温强紫外光致发光

佟 嵩, 刘湘娜, 高 婷, 尹 浩, 陈逸君, 鲍希茂

INTENSE ULTRAVIOLET PHOTOLUMINESCENCE AT ROOM TEMPERATURE IN AS-DEPOSITED Si∶H∶O FILMS

TONG SONG, LIU XIANG-NA, GAO TING, YIN HAO, CHEN YI-JUN, BAO XI-MAO
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  • 用等离子体增强辉光放电法制成a-Si∶H∶O薄膜,未经任何后处理过程,观察到峰值分别位于340—370,400—430以及740nm的三个光致发光(PL)带.这种紫外光发射既强又稳定,其强度与薄膜中的氧含量紧密相关,而后者可通过薄膜淀积过程中施加在其衬底上的直流偏压进行控制.前两个PL峰来源于a-Si∶H∶O中与氧有关的色心,而后一个PL峰则来源于嵌入a-Si∶H∶O中纳米硅晶粒的量子尺寸效应和晶粒表面的色心两方面的作用.
    Three photoluminescence (PL) bands at 340—370,400—430, and 740 nm were observed at room temperature in a-Si∶H∶O films fabricated by plasma enhanced chemical vapor deposition without any post-processing. The violet-blue emission is very strong and stable, and its intensity is closely related to the oxygen content in the films, which can be controlled by the applied dc biases on the sample substrates during deposition. The first two PL peaks are ascribed to oxygen-related colour centers in the a-Si∶H∶O matrix, and the last one is ascribed to the quantum size effect of the nanocrystallites embedded in a-Si∶H∶O matrix and the colour centers in the crystallites interfaces.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:59832100)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-02-20
  • 修回日期:  1998-07-15
  • 刊出日期:  1999-01-05

Si∶H∶O薄膜的室温强紫外光致发光

  • 1. 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,物理系,分析中心,南京 210093
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:59832100)资助的课题.

摘要: 用等离子体增强辉光放电法制成a-Si∶H∶O薄膜,未经任何后处理过程,观察到峰值分别位于340—370,400—430以及740nm的三个光致发光(PL)带.这种紫外光发射既强又稳定,其强度与薄膜中的氧含量紧密相关,而后者可通过薄膜淀积过程中施加在其衬底上的直流偏压进行控制.前两个PL峰来源于a-Si∶H∶O中与氧有关的色心,而后一个PL峰则来源于嵌入a-Si∶H∶O中纳米硅晶粒的量子尺寸效应和晶粒表面的色心两方面的作用.

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