GaAs被动调Q兼输出耦合Nd∶YVO4激光特性研究

柳强; 巩马理; 闫平; 贾维溥; 崔瑞祯; 王东生

doi:10.7498/aps.51.2756

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GaAs被动调Q兼输出耦合Nd∶YVO4激光特性研究

柳强 , 巩马理 , 闫平 , 贾维溥 , 崔瑞祯 , 王东生

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唯象论的经典领域

GaAs被动调Q兼输出耦合Nd∶YVO4激光特性研究

柳强, 巩马理, 闫平, 贾维溥, 崔瑞祯, 王东生

物理学报, 2002, 51(12): 2756-2760.

doi: 10.7498/aps.51.2756

Study on passive Q switched Nd∶YVO—4 laser with GaAs asa passive Q switched component and output coupler

Liu Qiang, Gong Ma-Li, Yan Ping, Jia Wei-Fu, Cui Rui-Zhen, Wang Dong-Sheng

Acta Phys. Sin., 2002, 51(12): 2756-2760.

doi: 10.7498/aps.51.2756

摘要
利用可饱和吸收半导体GaAs作为被动调Q元件和FP输出耦合镜,实现了半导体激光器(LD)抽运Nd:YVO4激光调Q运转,获得脉宽度为47ns,重复频率为1183kHz,平均功率为430mW,光束质量为M2=113的TEM00激光基横模输出,调Q抽运阈值为1700mW.并数值求解了含有GaAs被动调Q兼输出耦合的速率方程,分析了GaAs被动调Q机理以及脉宽宽度、重复频率、平均功率随抽运速率、腔长的变化关系,理论与实验结果相一致.为多功能综合型微型调Q固体激光器提供了简单有效的方法.

关键词:
被动调Q /

输出耦合 /

GaAs
Abstract
Passive Q switched operation of a laser diodepumped laser is studied with a saturable absorber GaAs as a passive Q switched component and F-P output coupler. The Q switched pulse duration is 47ns, pulse repetition rate is 1183 kHz, pulse average power is 430mW, beam quality M 2 is equal to 1 13 and the laser threshold of passive Q switching is 1700mW. We performed numerical calculations of coupled wave equations for the case of GaAs playing the role as mentioned above, discussed the passive Q switched mechanism and the dependence of pulse duration, pulse repetition rate and average power on the pumping rate and laser cavity length, which was in good agreement with the experimental results. A brief and effective technique is provided for compact Q switched solidstate laser having multiple functions.

Keywords:
passive Q switching, output coupler, GaAs /

/
作者及机构信息
柳强,

巩马理,

闫平,

贾维溥,

崔瑞祯,

王东生

1.
清华大学精密仪器与机械学系,北京100084;

基金项目: 国防科技重点实验室基金资助的课题~~
Authors and contacts
Liu Qiang,

Gong Ma-Li,

Yan Ping,

Jia Wei-Fu,

Cui Rui-Zhen,

Wang Dong-Sheng

1.
清华大学精密仪器与机械学系,北京100084;
参考文献

施引文献

[1]	袁用开, 陈茜, 高廷红, 梁永超, 谢泉, 田泽安, 郑权, 陆飞. GaAs晶体在不同应变下生长过程的分子动力学模拟. 物理学报, 2023, 0(0): . doi: 10.7498/aps.72.20221860
[2]	刘杨, 刘兆军, 丛振华, 徐晓东, 徐军, 门少杰, 夏金宝, 张飒飒. Nd:LuYAG混晶1123 nm被动调Q激光器. 物理学报, 2015, 64(17): 174203. doi: 10.7498/aps.64.174203
[3]	王杰, 韩勤, 杨晓红, 倪海桥, 贺继方, 王秀平. 高稳定线性调谐GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器. 物理学报, 2012, 61(1): 018502. doi: 10.7498/aps.61.018502
[4]	毕娟, 金光勇, 倪晓武, 张喜和, 姚志健. 532nm长脉冲激光致GaAs热分解损伤的半解析法分析. 物理学报, 2012, 61(24): 244209. doi: 10.7498/aps.61.244209
[5]	王秀平, 杨晓红, 韩勤, 鞠研玲, 杜云, 朱彬, 王杰, 倪海桥, 贺继方, 王国伟, 牛智川. 图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究. 物理学报, 2011, 60(2): 020703. doi: 10.7498/aps.60.020703
[6]	牛军, 张益军, 常本康, 熊雅娟. GaAs光电阴极激活后的表面势垒评估研究. 物理学报, 2011, 60(4): 044210. doi: 10.7498/aps.60.044210
[7]	彭银生, 叶小玲, 徐波, 牛洁斌, 贾锐, 王占国, 梁松, 杨晓红. 二维GaAs 基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析. 物理学报, 2010, 59(10): 7073-7077. doi: 10.7498/aps.59.7073
[8]	牛军, 杨智, 常本康, 乔建良, 张益军. 反射式变掺杂GaAs光电阴极量子效率模型研究. 物理学报, 2009, 58(7): 5002-5006. doi: 10.7498/aps.58.5002
[9]	唐欣欣, 罗文芸, 王朝壮, 贺新福, 查元梓, 樊胜, 黄小龙, 王传珊. 低能质子在半导体材料Si 和GaAs中的非电离能损研究. 物理学报, 2008, 57(2): 1266-1270. doi: 10.7498/aps.57.1266
[10]	滕利华, 余华梁, 左方圆, 文锦辉, 林位株, 赖天树. 本征GaAs中电子自旋极化的能量演化研究. 物理学报, 2008, 57(10): 6598-6603. doi: 10.7498/aps.57.6598
[11]	滕利华, 余华梁, 黄志凌, 文锦辉, 林位株, 赖天树. 本征GaAs中电子自旋极化对电子复合动力学的影响研究. 物理学报, 2008, 57(10): 6593-6597. doi: 10.7498/aps.57.6593
[12]	刘霖, 叶玉堂, 吴云峰, 方亮, 陆佳佳. GaAs表面不同运动状态H2SO4-H2O2-H2O液滴的红外辐射特性. 物理学报, 2007, 56(6): 3172-3177. doi: 10.7498/aps.56.3172
[13]	张秋琳, 苏红新, 孙江, 郭庆林, 付广生. LD抽运被动调Q固体激光器的脉冲稳定性. 物理学报, 2007, 56(10): 5818-5820. doi: 10.7498/aps.56.5818
[14]	吴朝晖, 宋峰, 刘淑静, 蔡虹, 苏静, 田建国, 张光寅. LD抽运Er3+，Yb3+共掺磷酸盐玻璃被动调Q激光器的理论分析和数值计算. 物理学报, 2006, 55(9): 4659-4664. doi: 10.7498/aps.55.4659
[15]	徐海红, 焦中兴, 刘晓东, 雷亮, 文锦辉, 王惠, 林位株, 赖天树. GaAs中电子g因子的温度和能量依赖性的飞秒激光吸收量子拍研究. 物理学报, 2006, 55(5): 2618-2622. doi: 10.7498/aps.55.2618
[16]	郭立俊, Jan-Peter Wüstenberg, Andreyev Oleksiy, Michael Bauer, Martin Aeschlimann. 利用飞秒双光子光电子发射研究GaAs(100)的自旋动力学过程. 物理学报, 2005, 54(7): 3200-3205. doi: 10.7498/aps.54.3200
[17]	陈鸣波, 崔容强, 王亮兴, 张忠卫, 陆剑峰, 池卫英. p-n 型GaInP2/GaAs叠层太阳电池研究. 物理学报, 2004, 53(11): 3632-3636. doi: 10.7498/aps.53.3632
[18]	袁先漳, 缪中林. Al/GaAs表面量子阱界面层的原位光调制反射光谱研究. 物理学报, 2004, 53(10): 3521-3524. doi: 10.7498/aps.53.3521
[19]	杨林, 黄维玲, 丘军林, 冯宝华, 张治国, Volker Gaebler, Baining Liu, Hans J.Eichler. Cr4+：YAG被动调Q激光器中受激粒子上转换效应对脉冲的影响研究. 物理学报, 2003, 52(10): 2471-2475. doi: 10.7498/aps.52.2471
[20]	金鹏, 潘士宏, 梁基本. SIN+ GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究. 物理学报, 2000, 49(9): 1821-1828. doi: 10.7498/aps.49.1821

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物理学报. 2002, 51(12): 2756-2760.

doi: 10.7498/aps.51.2756.

唯象论的经典领域

GaAs被动调Q兼输出耦合Nd∶YVO4激光特性研究

1. 清华大学精密仪器与机械学系,北京100084;

基金项目: 国防科技重点实验室基金资助的课题~~

刊出日期: 2002-06-05

摘要: 利用可饱和吸收半导体GaAs作为被动调Q元件和FP输出耦合镜,实现了半导体激光器(LD)抽运Nd:YVO4激光调Q运转,获得脉宽度为47ns,重复频率为1183kHz,平均功率为430mW,光束质量为M2=113的TEM00激光基横模输出,调Q抽运阈值为1700mW.并数值求解了含有GaAs被动调Q兼输出耦合的速率方程,分析了GaAs被动调Q机理以及脉宽宽度、重复频率、平均功率随抽运速率、腔长的变化关系,理论与实验结果相一致.为多功能综合型微型调Q固体激光器提供了简单有效的方法.

关键词:

被动调Q /
输出耦合 /
GaAs

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