图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究

王秀平; 杨晓红; 韩勤; 鞠研玲; 杜云; 朱彬; 王杰; 倪海桥; 贺继方; 王国伟; 牛智川

doi:10.7498/aps.60.020703

摘要

报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60 nm高14 nm的近三角形.低温87 K下光致发光谱测试在793.7和799.5 nm处出现峰值,验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示,相比等宽度量子阱有8 meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的.

关键词:

V型槽图形衬底 /
量子线 /
GaAs

GaAs/AlGaAs quantum wires grown by molecular beam epitaxy on a V-groove patterned substrate was described. The cross section of scan electron microscopy (SEM) image shows that crescent-type quantum wire were formed at the V groove bottom, which is a triangle of about 60nm in width and 14nm in height. Two peaks at 793.7nm and 799.5nm of photoluminescence spectrum at 87K verified the existence of quantum wires. Theoretical calculation gives 8meV blue shift, which is proved to be casued by lateral confinement compared with quantum well of the same width.

Keywords:

作者及机构信息

(1)中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京 100083; (2)中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB936304,2006CB302802)、国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA03Z421,2009AA03Z404)和国家自然科学基金(批准号:60876093)资助的课题.

Authors and contacts

(1)State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083 China; (2)State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China

参考文献

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