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关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究

刘林生 刘 肃 王文新 赵宏鸣 刘宝利 蒋中伟 高汉超 王 佳 黄庆安 陈 弘 周均铭

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关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究

刘林生, 刘 肃, 王文新, 赵宏鸣, 刘宝利, 蒋中伟, 高汉超, 王 佳, 黄庆安, 陈 弘, 周均铭

Optimization of GaAs (110) quantum well material growth technology by reflection high energy electron diffraction

Liu Lin-Sheng, Liu Su, Wang Wen-Xin, Zhao Hong-Ming, Liu Bao-Li, Jiang Zhong-Wei, Gao Han-Chao, Wang Jia, Huang Qing-An, Chen Hong, Zhou Jun-Ming
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-03-08
  • 修回日期:  2007-03-29
  • 刊出日期:  2007-03-05

关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究

  • 1. (1)兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000; (2)兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000;东南大学MEMS教育部重点实验室,南京 210096; (3)兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000;中国科学院物理研究所凝聚态国家实验室,北京 100080;东南大学MEMS教育部重点实验室,南京 210096; (4)中国科学院物理研究所凝聚态国家实验室,北京 100080
    基金项目: 中国科学院知识创新工程,国家自然科学基金(批准号:10504030)和甘肃省自然科学基金(批准号:3ZS051-A25-034)资助的课题.

摘要: 在GaAs(110)衬底上生长的半导体材料有诸多优良性能,使得在非极性GaAs(110)衬底上获得高质量各类异质结材料,成为近年来分子束外延生长关注的课题.考虑GaAs(110)表面是Ga和As共面,最佳生长温度窗口很小;反射式高能电子衍射的(1×1)再构图案对生长温度和V/Ⅲ束流比不敏感,难于通过观察再构图案的变化,准确地找到最佳生长条件.作者在制备GaAs(110)量子阱过程中,观察到反射式高能电子衍射强度振荡呈现出的单双周期变化.这意味着不同工艺条件下,在 GaAs(110)衬底上量子阱有单层和双层两种生长模式.透射电子显微镜和室温光致荧光光谱测量结果表明:在双层生长模式下量子阱样品光学性能较差,而在单层生长模式下量子阱光学性能较好,但是界面会变粗糙.利用这一特点,我们采用反射式高能电子衍射强度振荡技术,找到了一种在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱的可行方法.

English Abstract

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