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Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜

苏少坚 汪巍 张广泽 胡炜玄 白安琪 薛春来 左玉华 成步文 王启明

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Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜

苏少坚, 汪巍, 张广泽, 胡炜玄, 白安琪, 薛春来, 左玉华, 成步文, 王启明

Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy

Su Shao-Jian, Wang Wei, Zhang Guang-Ze, Hu Wei-Xuan, Bai An-Qi, Xue Chun-Lai, Zuo Yu-Hua, Cheng Bu-Wen, Wang Qi-Ming
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-09-08
  • 修回日期:  2010-09-10
  • 刊出日期:  2011-01-05

Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜

  • 1. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083
    基金项目: 国家重点基础研究发展计划 (批准号:2007CB613404)、国家自然科学基金(批准号:61036003,60906035,51072194)和中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(批准号:ISCAS2009T01)资助的课题.

摘要: 使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge0.975Sn0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge0.975Sn0.025合金薄膜具有很好的晶体质量,并且没有发生Sn表面分凝.另外,Ge0.975Sn0.025合金薄膜在500 ℃下具有很好的热稳定性,有望在Si基光电器件中得到应用.

English Abstract

参考文献 (11)

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