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用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变

王 欢 姚淑德 潘尧波 张国义

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用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变

王 欢, 姚淑德, 潘尧波, 张国义

Strain in AlInGaN thin films caused by different contents of Al and In studied by Rutherford backscattering/channeling and high resolution X-ray diffraction

Wang Huan, Yao Shu-De, Pan Yao-Bo, Zhang Guo-Yi
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-07-12
  • 修回日期:  2006-11-13
  • 刊出日期:  2007-03-05

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