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AlGaN插入层对6H-SiC上金属有机物气相外延生长的GaN薄膜残余应力及表面形貌的影响

江洋 罗毅 席光义 汪莱 李洪涛 赵维 韩彦军

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AlGaN插入层对6H-SiC上金属有机物气相外延生长的GaN薄膜残余应力及表面形貌的影响

江洋, 罗毅, 席光义, 汪莱, 李洪涛, 赵维, 韩彦军

Effect of AlGaN intermediate layer on residual stress control and surface morphology of GaN grown on 6H-SiC substrate by metal organic vapour phase epitaxy

Jiang Yang, Luo Yi, Xi Guang-Yi, Wang Lai, Li Hong-Tao, Zhao Wei, Han Yan-Jun
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-12-25
  • 修回日期:  2009-01-13
  • 刊出日期:  2009-05-05

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