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沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响

岑忞 章岳光 陈卫兰 顾培夫

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沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响

岑忞, 章岳光, 陈卫兰, 顾培夫

Influences of deposition rate and oxygen partial pressure on residual stress of HfO2 films

Cen Min, Zhang Yue-Guang, Chen Wei-Lan, Gu Pei-Fu
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-11-17
  • 修回日期:  2009-02-03
  • 刊出日期:  2009-05-05

沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响

  • 1. (1)复旦大学电光源与照明工程学系,上海 200433; (2)浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州 310027
    基金项目: 国家科学自然基金(批准号: 60778025)资助的课题.

摘要: 采用ZYGO MarkIII-GPI数字波面干涉仪对以K9玻璃为基底的电子束蒸发方法制备的HfO2薄膜中的残余应力进行了研究,讨论了沉积速率、氧分压这两种工艺参量对HfO2薄膜残余应力的影响.实验结果表明:在所有的工艺条件下,薄膜的残余应力均为张应力;随着沉积速率的升高,氧分压的减小,薄膜的堆积密度逐渐增大,而残余应力呈减小趋势.同时用X射线衍射技术测量分析了不同工艺条件下HfO2薄膜的晶体结构,探讨了HfO2薄膜晶体

English Abstract

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