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镓铝双质掺杂提高晶闸管性能的机理研究

王公堂 刘秀喜

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镓铝双质掺杂提高晶闸管性能的机理研究

王公堂, 刘秀喜

Studies on the mechanisms of enhancing the performances of thyristors by Ga-Al doping

Wang Gong-Tang, Liu Xiu-Xi
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-05-06
  • 修回日期:  2009-10-20
  • 刊出日期:  2010-03-15

镓铝双质掺杂提高晶闸管性能的机理研究

  • 1. 山东师范大学物理与电子科学学院,济南 250014
    基金项目: 山东省自然科学基金(批准号:Y2003A01)资助的课题.

摘要: 依据Ga,A1在Si和SiO2中的扩散行为和特性,采用SiO2/Si系统,利用磁控装置精确控制Ga掺杂量,实现镓铝双质掺杂在同一扩散炉中经一次高温连续完成.该项掺杂技术能实现Si中的高均匀掺杂,扩散参数具有良好的重复性和一致性,可获得较理想的杂质浓度分布.Ga,Al与Si的共价半径相接近,高温后又采取缓慢降温等措施,能明显减少晶格缺陷,提高少子寿命,降低压降.研究了受主双质掺杂与晶闸管参数之间的关系,并对镓铝双质掺杂提高晶闸管性能的机理进行了深入的分析与讨论.研

English Abstract

参考文献 (9)

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