搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

LiF插层对有机发光二极管磁场效应的调控

刘荣 张勇 雷衍连 陈平 张巧明 熊祖洪

引用本文:
Citation:

LiF插层对有机发光二极管磁场效应的调控

刘荣, 张勇, 雷衍连, 陈平, 张巧明, 熊祖洪

Tuning effect of magnetic-field in organic light emitting diodes using LiF layer

Liu Rong, Zhang Yong, Lei Yan-Lian, Chen Ping, Zhang Qiao-Ming, Xiong Zu-Hong
PDF
导出引用
  • 制备了有LiF插层的有机发光二极管,以八羟基喹啉铝(Alq3)作为电子传输层,N, N′-二苯基-N, N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)作为空穴传输层.通过改变Alq3与NPB间LiF插层的厚度,研究了不同温度下器件的光电特性及电致发光的磁场效应.测量结果表明:LiF插层可以影响器件内部载流子的输运和激发态的形成.较厚的插层阻碍了空穴的传输,使器件的电流效率变低.但实验中发现,
    The organic light emitting diode with inserted LiF layer has been fabricated. Tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3) was used as electron-transport layer and N, N′-bis(1-naphthyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (NPB) was used as hole-transport layer. By changing the thickness of LiF deposited between Alq3 and NPB, the optoelectrical properties and the magnetic field effect on electroluminescence were studied at different temperatures. The measurement results show that using LiF layer enables the transport of carrier and the formation of excited states inside the device. A thick LiF layer blocks the transport of holes, lowering the efficiency of the device. However, use of LiF layer can effectively tune the magnetic field effect of electroluminescence. Compared with conventional devices, the magnetic field effect of device with inserted LiF layer was strengthened within low-field range (the magnetic induction BB≥40 mT) decrease of electroluminescence, and the thicker the LiF layer, the smaller the magnitude of decrease. These observations indicate that the concentration of the triplet excitons offects the high magnetic field decrease of electroluminescence at low temperatures.
    • 基金项目: 教育部留学回国人员科研启动基金 (批准号: 20071108)、国家自然科学基金(批准号:10974157)和霍英东教育基金会高等院校青年教师基金(批准号:101006)资助的课题.
    [1]

    [1]Tang C W, Van Slyke S A 1987 Appl. Phys. Lett. 51 913

    [2]

    [2]Zhang X L, Yang S Y, Lou Z D, Hou Y B 2007 Acta Phys. Sin. 56 1632 (in Chinese) [张秀龙、杨盛谊、娄志东、侯延冰 2007 物理学报 56 1632]

    [3]

    [3]Qian L, Teng F, Xu Z, Quan S Y, Liu D A, Wang Y M, Wang Y S, Xu X R 2006 Acta Phys. Sin. 55 929 (in Chinese) [钱磊、滕枫、徐征、权善玉、刘德昂、王元敏、王永生、徐叙瑢 2006 物理学报 55 929]

    [4]

    [4]Mermer O, Veeraraghavan G, Francis T L, Wohlgenannt M 2005 Solid State Commun 134 631

    [5]

    [5]Nguyen T D, Sheng Y, Rybicki J, Wohlgenannt M 2008 Phys. Rev. B 77 235209

    [6]

    [6]Wang Z, He Z H, Tan X W, Tao M L, Li G Q, Xiong Z H 2007 Acta Phys. Sin. 56 2979 (in Chinese) [王振、何正红、谭兴文、陶敏龙、李国庆、熊祖洪 2007 物理学报 56 2979]

    [7]

    [7]Uddin A, Lee C B, Hu X, Wong T K S 2006 J. Cryst. Growth 288 115

    [8]

    [8]Xu X M, Peng J C, Li H J, Qu S, Zhao C J, Luo X H 2004 Acta Phys. Sin. 53 286 (in Chinese) [许雪梅、彭景翠、李宏建、瞿述、赵楚军、罗小华 2004 物理学报53 286]

    [9]

    [9]Zhang L J, Hua Y L, Wu X M, Wang Y, Yin S G 2008 Chin. Phys. B 17 3097

    [10]

    ]Du P, Zhang X Q, Sun X B, Yao Z G, Wang Y S 2006 Chin. Phys. B 15 1370

    [11]

    ]Zhu W Q, Jiang X Y, Zhang Z L, Sun R G, Xu S H 2004 J. Funct. Mater. 35 272 [朱文清、蒋雪茵、张志林、孙润光、许少鸿 2004 功能材料35 272]

    [12]

    ]Zhu W Q, Jiang X Y, Zhang Z L, Sun R G, Xu S H 2004 J. Funct. Mater. 35 276 [朱文清、蒋雪茵、张志林、孙润光、许少鸿 2004 功能材料35 276]

    [13]

    ]Ihm K, Kang T H, Kim K J, Hwang C C, Park Y J 2003 Appl. Phys. Lett. 83 2949

    [14]

    ]Zhao Y, Liu S Y, Hou J Y 2001 Thin Solid Films 397 208

    [15]

    ]Zhu F R, Low B, Zhang K R, Chua S J2001 Appl. Phys. Lett. 79 1205

    [16]

    ]Kim Y M, Lee J W, Jung J H, Paek K K , Sung M Y, Kim J K, Ju B K 2006 IEEE Electron Dev. Lett. 27 558

    [17]

    ]Liu D, Teng F, Xu Z, Yang S Y, Qian L, He Q F, Wang Y S, Xu X R 2007 J. Lumin. 122—123 656

    [18]

    ]Han K, Yi Y, Song W J, Cho S W, Jeon P E, Lee H, Whang C N, Jeong K 2008 Org. Electron. 9 30

    [19]

    ]Lian J R, Yuan Y B, Zhou X 2007 Chin. Phys. Lett. 24 828

    [20]

    ]Odaka H, Okamoto H, Kawasaki M, Tokura Y 2006 Appl. Phys. Lett. 88 123501

    [21]

    ]Liu R, Zhang Y, Lei Y L, Chen P, Xiong Z H 2009 J. Appl. Phys. 105 093719

    [22]

    ]Zhang Y, Liu R, Lei Y L, Xiong Z H 2009 Appl. Phys. Lett. 94 083307

    [23]

    ]Ito F, Ikoma T, Akiyama K 2005 J. Phys. Chem. 109 929

    [24]

    ]Ganzorg C, Fujihira M 2002 Appl. Phys. Lett. 81 3137

    [25]

    ]Merrifield R E 1968 J. Chem. Phys. 48 4318

    [26]

    ]Hu B, Wu Y 2007 Nat. Mater. 6 985

  • [1]

    [1]Tang C W, Van Slyke S A 1987 Appl. Phys. Lett. 51 913

    [2]

    [2]Zhang X L, Yang S Y, Lou Z D, Hou Y B 2007 Acta Phys. Sin. 56 1632 (in Chinese) [张秀龙、杨盛谊、娄志东、侯延冰 2007 物理学报 56 1632]

    [3]

    [3]Qian L, Teng F, Xu Z, Quan S Y, Liu D A, Wang Y M, Wang Y S, Xu X R 2006 Acta Phys. Sin. 55 929 (in Chinese) [钱磊、滕枫、徐征、权善玉、刘德昂、王元敏、王永生、徐叙瑢 2006 物理学报 55 929]

    [4]

    [4]Mermer O, Veeraraghavan G, Francis T L, Wohlgenannt M 2005 Solid State Commun 134 631

    [5]

    [5]Nguyen T D, Sheng Y, Rybicki J, Wohlgenannt M 2008 Phys. Rev. B 77 235209

    [6]

    [6]Wang Z, He Z H, Tan X W, Tao M L, Li G Q, Xiong Z H 2007 Acta Phys. Sin. 56 2979 (in Chinese) [王振、何正红、谭兴文、陶敏龙、李国庆、熊祖洪 2007 物理学报 56 2979]

    [7]

    [7]Uddin A, Lee C B, Hu X, Wong T K S 2006 J. Cryst. Growth 288 115

    [8]

    [8]Xu X M, Peng J C, Li H J, Qu S, Zhao C J, Luo X H 2004 Acta Phys. Sin. 53 286 (in Chinese) [许雪梅、彭景翠、李宏建、瞿述、赵楚军、罗小华 2004 物理学报53 286]

    [9]

    [9]Zhang L J, Hua Y L, Wu X M, Wang Y, Yin S G 2008 Chin. Phys. B 17 3097

    [10]

    ]Du P, Zhang X Q, Sun X B, Yao Z G, Wang Y S 2006 Chin. Phys. B 15 1370

    [11]

    ]Zhu W Q, Jiang X Y, Zhang Z L, Sun R G, Xu S H 2004 J. Funct. Mater. 35 272 [朱文清、蒋雪茵、张志林、孙润光、许少鸿 2004 功能材料35 272]

    [12]

    ]Zhu W Q, Jiang X Y, Zhang Z L, Sun R G, Xu S H 2004 J. Funct. Mater. 35 276 [朱文清、蒋雪茵、张志林、孙润光、许少鸿 2004 功能材料35 276]

    [13]

    ]Ihm K, Kang T H, Kim K J, Hwang C C, Park Y J 2003 Appl. Phys. Lett. 83 2949

    [14]

    ]Zhao Y, Liu S Y, Hou J Y 2001 Thin Solid Films 397 208

    [15]

    ]Zhu F R, Low B, Zhang K R, Chua S J2001 Appl. Phys. Lett. 79 1205

    [16]

    ]Kim Y M, Lee J W, Jung J H, Paek K K , Sung M Y, Kim J K, Ju B K 2006 IEEE Electron Dev. Lett. 27 558

    [17]

    ]Liu D, Teng F, Xu Z, Yang S Y, Qian L, He Q F, Wang Y S, Xu X R 2007 J. Lumin. 122—123 656

    [18]

    ]Han K, Yi Y, Song W J, Cho S W, Jeon P E, Lee H, Whang C N, Jeong K 2008 Org. Electron. 9 30

    [19]

    ]Lian J R, Yuan Y B, Zhou X 2007 Chin. Phys. Lett. 24 828

    [20]

    ]Odaka H, Okamoto H, Kawasaki M, Tokura Y 2006 Appl. Phys. Lett. 88 123501

    [21]

    ]Liu R, Zhang Y, Lei Y L, Chen P, Xiong Z H 2009 J. Appl. Phys. 105 093719

    [22]

    ]Zhang Y, Liu R, Lei Y L, Xiong Z H 2009 Appl. Phys. Lett. 94 083307

    [23]

    ]Ito F, Ikoma T, Akiyama K 2005 J. Phys. Chem. 109 929

    [24]

    ]Ganzorg C, Fujihira M 2002 Appl. Phys. Lett. 81 3137

    [25]

    ]Merrifield R E 1968 J. Chem. Phys. 48 4318

    [26]

    ]Hu B, Wu Y 2007 Nat. Mater. 6 985

  • [1] 赵新丽, 马国亮, 马余刚. 中高能重离子碰撞中的电磁场效应和手征反常现象. 物理学报, 2023, 72(11): 112502. doi: 10.7498/aps.72.20230245
    [2] 刘启沛, 张程贤, 薛正远. 强驱动单态-三重态量子比特的高保真单比特门. 物理学报, 2023, 72(20): 200302. doi: 10.7498/aps.72.20230906
    [3] 王辉耀, 宁亚茹, 吴凤娇, 赵茜, 陈敬, 朱洪强, 魏福贤, 吴雨廷, 熊祖洪. 纯红荧烯器件中极化子对的系间窜越与高能三重态激子的反向系间窜越过程“消失”的原因. 物理学报, 2022, 71(21): 217201. doi: 10.7498/aps.71.20221060
    [4] 陶聪, 王敬民, 牛美玲, 朱琳, 彭其明, 王建浦. 非磁性发光材料的磁场效应: 从有机半导体到卤化物钙钛矿. 物理学报, 2022, 71(6): 068502. doi: 10.7498/aps.71.20211872
    [5] 颜俊, 王子毅, 曾若生, 邹炳锁. 零维Sb3+掺杂Rb7Bi3Cl16金属卤化物的三重态自陷激子发射. 物理学报, 2021, 70(24): 247801. doi: 10.7498/aps.70.20211024
    [6] 邵文莉, 林永锋, 林枫灿, 彭开美, 张蕾, 王惠, 刘海洋, 计亮年. 中心金属Ga原子对Corrole三重态动力学及单线态氧产生的影响. 物理学报, 2012, 61(20): 207801. doi: 10.7498/aps.61.207801
    [7] 高峰, 王叶兵, 田晓, 许朋, 常宏. 锶原子三重态谱线的观测及在光钟中的应用. 物理学报, 2012, 61(17): 173201. doi: 10.7498/aps.61.173201
    [8] 冯胜奇, 方海, 邱庆春. 在群论框架下电子三重态与声子耦合的理论研究. 物理学报, 2011, 60(1): 017105. doi: 10.7498/aps.60.017105
    [9] 汪津, 姜文龙, 华杰, 王广德, 韩强, 常喜, 张刚. 磁场对基于Co铁磁薄膜的有机发光器件效率和电流的影响. 物理学报, 2010, 59(11): 8212-8217. doi: 10.7498/aps.59.8212
    [10] 孙震, 安忠, 李元, 刘文, 刘德胜, 解士杰. 高聚物中极化子和三重态激子的碰撞过程研究. 物理学报, 2009, 58(6): 4150-4155. doi: 10.7498/aps.58.4150
    [11] 雷衍连, 刘荣, 张勇, 谭兴文, 熊祖洪. 磁场对聚合物光电池中电流的影响. 物理学报, 2009, 58(2): 1269-1275. doi: 10.7498/aps.58.1269
    [12] 冀子武, 三野弘文, 音贤一, 室清文, 秋本良一, 嶽山正二郎. 掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中带电激子的磁场效应. 物理学报, 2008, 57(10): 6609-6613. doi: 10.7498/aps.57.6609
    [13] 王 振, 何正红, 谭兴文, 陶敏龙, 李国庆, 熊祖洪. 磁场对有机电致发光的影响. 物理学报, 2007, 56(5): 2979-2985. doi: 10.7498/aps.56.2979
    [14] 谢安东, 蒙大桥, 罗德礼, 马美仲, 朱正和. 二氢化钚分子激发态结构的外场效应. 物理学报, 2006, 55(5): 2180-2184. doi: 10.7498/aps.55.2180
    [15] 李晓薇, 刘淑静. 正常金属/自旋三重态p波超导体结隧道谱的奇异性. 物理学报, 2006, 55(2): 834-838. doi: 10.7498/aps.55.834
    [16] 李晓薇. 铁磁超导态/绝缘层/自旋三重态p波超导体结的直流Josephson电流. 物理学报, 2006, 55(12): 6637-6642. doi: 10.7498/aps.55.6637
    [17] 习金华, 吴礼金. 原子实极化效应对ScⅡ离子3d2三重态超精细相互作用的影响. 物理学报, 1992, 41(3): 370-378. doi: 10.7498/aps.41.370
    [18] 厉彦民, 章立源. 对角无序对三重态双极化子系统的超导电性的影响. 物理学报, 1987, 36(6): 796-800. doi: 10.7498/aps.36.796
    [19] 厉彦民, 章立源. 三重态双极化子系统的超导与铁磁共存. 物理学报, 1987, 36(2): 157-164. doi: 10.7498/aps.36.157
    [20] 厉彦民, 章立源. 三重态双极化子的超导A相与B相. 物理学报, 1986, 35(12): 1616-1623. doi: 10.7498/aps.35.1616
计量
  • 文章访问数:  7416
  • PDF下载量:  874
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-08-08
  • 修回日期:  2009-11-05
  • 刊出日期:  2010-03-05

/

返回文章
返回