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外加电场对铁电薄膜相变的影响

吕业刚 梁晓琳 龚跃球 郑学军 刘志壮

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外加电场对铁电薄膜相变的影响

吕业刚, 梁晓琳, 龚跃球, 郑学军, 刘志壮

Effect of external electric field on phase transitions of ferroelectric thin films

Liang Xiao-Lin, Gong Yue-Qiu, Liu Zhi-Zhuang, Lü Ye-Gang, Zheng Xue-Jun
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  • 采用热力学非线性理论,研究了外加电场对立方基底Pb(Zr0.3Ti0.7)O3(PZT)铁电薄膜相变的影响.通过数值计算,得到了"失配应变-外加电场"相图,及外加电场与极化强度的关系.当外加电场达到186 kV/cm时,能使生长在SrTiO3 基底上PZT铁电薄膜从单斜r相转变为c相.在实验上,采用扫描探针显微镜通过对PZT薄膜施加不同的极化电场来研究了它的电畴翻转.从得到的压电响应相图可以看出,绝大多数的电畴是清晰可
    A nonlinear thermodynamic theory is used to investigate the effect of external electric field on the phase transitions of Pb(Zr0.3Ti0.7)O3(PZT) thin films epitaxially grown on dissimilar cubic substrates. The "misfit strain-external electric filed" phase diagram and the relationship between electirc filed and polarization are constructed for PZT thin films. The external electric field can transform the monoclinic r phase into the c phase,when its value reaches 186 kV/cm for PZT thin film grown on the SrTiO3 substrate. On the other hand,the domain switching of PZT thin film is investigated experimentally by scanning probe microscopy(SPM) via varying the applied polarizing electric field. The piezo-phase images reveal that most ferroelectric domains are clearly detectable. In the r phase,the domains can be reversed into the direction of polarization of the c phase,when the applied electric field increases to 200 kV/cm,which is close to the theoretical value (186 kV/cm).
    • 基金项目: 国家杰出青年科学基金(批准号:10825209)资助的课题.
    [1]

    Scott J F 1996 Ferroelectrics 183 51

    [2]

    Wang L H,Yu J,Wang G Y,Gao J X, Zhao S L 2008 Acta. Phys. Sin. 57 1207 (in Chinese) [王龙海、于 军、王耕波、高峻雄、赵素玲 2008 物理学报 57 1207]

    [3]

    Wu X M,Lu X M,Chen A P,Yin Y,Ma J, Li W, Kan Y, Qian D, Zhu J S 2005 Appl. Phys. Lett. 86 092904

    [4]

    Zhang D M,Yan W S,Zhong Z C, Yang F X, Zheng K Y, Li Z H 2004 Acta. Phys. Sin. 53 1316 (in Chinese) [张端明、严文生、钟志成、杨风霞、郑克玉、李智华 2004 物理学报 53 1316]

    [5]

    BAN G Z,Alay S P 2002 J. Appl. Phys. 91 9288

    [6]

    Jesse S,Baddorf A P,Kalinin S V 2006 Appl. Phys. Lett. 88 062908

    [7]

    Zeng H R,Yu H F,Chu R Q,Li G R, Yin Q R, Tang X G 2005 Acta. Phys. Sin. 54 1437 (in Chinese) [曾华荣、余寒峰、初瑞清、李国荣、段庆瑞、唐新桂 2005 物理学报 54 1437]

    [8]

    Anbusathaiah V,Nagarajan V,Aggarwal S 2006 Appl. Phys. Lett. 89 132912

    [9]

    Wang L H,Yu J,Liu F,Zheng C D, Li J, Wang Y B, Gao J X, Wang Z H, Zeng H Z, Zhao S L 2006 Acta. Phys. Sin. 55 2590 (in Chinese) [王龙海、于 军、刘 峰、郑朝丹、李 佳、王 耘波、高峻雄、王志红、曾慧中、赵素玲 2006 物理学报 55 2590] 〖10] Emelyanov A Y U,Pertsev N A,Kholkin A L 2002 Phys. Rev. B 66 214108

    [10]

    Zembilgotov A G,Pertsev N A,Bottger U,Waser R 2005 Appl. Phys. Lett. 86 052903

    [11]

    Haun M J,Furman E,Jang S J,Cross L E 1989 Ferroelectrics 99 13

    [12]

    Pertsev N A,Kukhar V G,Kohlstedt H,Waser R 2003 Phys. Rev. B 67 054107

    [13]

    Pertsev N A,Zembilgotov A G,Tagantsev A K 1998 Phys. Rev. Lett. 80 1988

    [14]

    Speck J S,Pompe W 1994 J. Appl. Phys. 76 466

    [15]

    Wang J,Zhang T Y 2005 Appl. Phys. Lett. 86 192905

    [16]

    Kelman M B,Schloss L F,McIntyre P C 2002 Appl. Phys. Lett. 80 1258

    [17]

    Zheng F G,Chen J P,Li X W 2006 Acta. Phys. Sin. 55 3067 (in Chinese) [赵分刚、陈建平、李新碗 2006 物理学报 55 3067]

  • [1]

    Scott J F 1996 Ferroelectrics 183 51

    [2]

    Wang L H,Yu J,Wang G Y,Gao J X, Zhao S L 2008 Acta. Phys. Sin. 57 1207 (in Chinese) [王龙海、于 军、王耕波、高峻雄、赵素玲 2008 物理学报 57 1207]

    [3]

    Wu X M,Lu X M,Chen A P,Yin Y,Ma J, Li W, Kan Y, Qian D, Zhu J S 2005 Appl. Phys. Lett. 86 092904

    [4]

    Zhang D M,Yan W S,Zhong Z C, Yang F X, Zheng K Y, Li Z H 2004 Acta. Phys. Sin. 53 1316 (in Chinese) [张端明、严文生、钟志成、杨风霞、郑克玉、李智华 2004 物理学报 53 1316]

    [5]

    BAN G Z,Alay S P 2002 J. Appl. Phys. 91 9288

    [6]

    Jesse S,Baddorf A P,Kalinin S V 2006 Appl. Phys. Lett. 88 062908

    [7]

    Zeng H R,Yu H F,Chu R Q,Li G R, Yin Q R, Tang X G 2005 Acta. Phys. Sin. 54 1437 (in Chinese) [曾华荣、余寒峰、初瑞清、李国荣、段庆瑞、唐新桂 2005 物理学报 54 1437]

    [8]

    Anbusathaiah V,Nagarajan V,Aggarwal S 2006 Appl. Phys. Lett. 89 132912

    [9]

    Wang L H,Yu J,Liu F,Zheng C D, Li J, Wang Y B, Gao J X, Wang Z H, Zeng H Z, Zhao S L 2006 Acta. Phys. Sin. 55 2590 (in Chinese) [王龙海、于 军、刘 峰、郑朝丹、李 佳、王 耘波、高峻雄、王志红、曾慧中、赵素玲 2006 物理学报 55 2590] 〖10] Emelyanov A Y U,Pertsev N A,Kholkin A L 2002 Phys. Rev. B 66 214108

    [10]

    Zembilgotov A G,Pertsev N A,Bottger U,Waser R 2005 Appl. Phys. Lett. 86 052903

    [11]

    Haun M J,Furman E,Jang S J,Cross L E 1989 Ferroelectrics 99 13

    [12]

    Pertsev N A,Kukhar V G,Kohlstedt H,Waser R 2003 Phys. Rev. B 67 054107

    [13]

    Pertsev N A,Zembilgotov A G,Tagantsev A K 1998 Phys. Rev. Lett. 80 1988

    [14]

    Speck J S,Pompe W 1994 J. Appl. Phys. 76 466

    [15]

    Wang J,Zhang T Y 2005 Appl. Phys. Lett. 86 192905

    [16]

    Kelman M B,Schloss L F,McIntyre P C 2002 Appl. Phys. Lett. 80 1258

    [17]

    Zheng F G,Chen J P,Li X W 2006 Acta. Phys. Sin. 55 3067 (in Chinese) [赵分刚、陈建平、李新碗 2006 物理学报 55 3067]

  • [1] 韦芊屹, 倪洁蕾, 李灵, 张聿全, 袁小聪, 闵长俊. 超高时空分辨显微成像技术研究进展. 物理学报, 2023, 72(17): 178701. doi: 10.7498/aps.72.20230733
    [2] 梁艳美, 陆博, 古华光. 利用双慢变量的快慢变量分离分析新脑皮层神经元Wilson模型的复杂电活动. 物理学报, 2022, 71(23): 230502. doi: 10.7498/aps.71.20221416
    [3] 戚炜恒, 王震, 李翔飞, 禹日成, 王焕华. 外延BaMoO3, BaMoO4薄膜的生长行为. 物理学报, 2022, 71(17): 178103. doi: 10.7498/aps.71.20220736
    [4] 王思远, 梁添寿, 时朋朋. 金属磁记忆应变诱导磁性变化的原子尺度作用机理. 物理学报, 2022, 71(19): 197502. doi: 10.7498/aps.71.20220745
    [5] 郭文锑, 黄璐, 许桂贵, 钟克华, 张健敏, 黄志高. 本征磁性拓扑绝缘体MnBi2Te4电子结构的压力应变调控. 物理学报, 2021, 70(4): 047101. doi: 10.7498/aps.70.20201237
    [6] 张亚菊, 谢忠帅, 郑海务, 袁国亮. Au-BiFeO3纳米复合薄膜的电学和光伏性能优化. 物理学报, 2020, 69(12): 127709. doi: 10.7498/aps.69.20200309
    [7] 李再东, 郭奇奇. 铁磁纳米线中磁化强度的磁怪波. 物理学报, 2020, 69(1): 017501. doi: 10.7498/aps.69.20191352
    [8] 丁学利, 贾冰, 李玉叶. 利用相位响应曲线解释抑制性反馈增强神经电活动. 物理学报, 2019, 68(18): 180502. doi: 10.7498/aps.68.20190197
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-02-06
  • 修回日期:  2010-03-07
  • 刊出日期:  2010-11-15

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