搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

AlN纳米线宏观阵列的制备

李志杰 田鸣 贺连龙

引用本文:
Citation:

AlN纳米线宏观阵列的制备

李志杰, 田鸣, 贺连龙

Preparation of AlN nanowire macroscopic arrays

Li Zhi-Jie, Tian Ming, He Lian-Long
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  5774
  • PDF下载量:  857
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-10-22
  • 修回日期:  2010-12-09
  • 刊出日期:  2011-09-15

AlN纳米线宏观阵列的制备

  • 1. (1)沈阳工业大学理学院,沈阳 110870; (2)中国科学院金属研究所,沈阳 110016
    基金项目: 国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB600905)和辽宁省自然基金(批准号:20062038)资助的课题.

摘要: 借助二次模板法成功的合成了AlN纳米线宏观阵列,并进行了表征.主要研究CVD法制备有一定取向,直径均匀的AlN纳米线宏观阵列的过程.通过气相沉积法和利用PS球自组装模板制备了金属纳米颗粒模板;再以模板上的金属纳米颗粒作为催化剂,利用化学气相沉积在模板上合成AlN纳米线宏观阵列.借助SEM,TEM观察所得样品,AlN纳米线阵列面积约为0.3 mm×0.2 mm,直径和长度分布均匀,平均直径约为41 nm,平均长度为1.8 μm左右,分散密度和覆盖率大的六角结构AlN纳米线宏观阵列.得到了可控制备AlN纳米线

English Abstract

参考文献 (15)

目录

    /

    返回文章
    返回