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外延生长薄膜中失配位错形成条件的分子动力学模拟研究

周耐根 周 浪

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外延生长薄膜中失配位错形成条件的分子动力学模拟研究

周耐根, 周 浪

Conditions for formation of misfit dislocation in epitaxial films — a molecular dynamics study

Zhou Nai-Gen, Zhou Lang
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  • 运用分子动力学方法对负失配条件下的外延铝簿膜中失配位错的形成进行了模拟研究.所采 用的原子间相互作用势为嵌入原子法(EAM)多体势.模拟结果显示:在500K下长时间静态弛豫 ,表面和内部结构完整的外延膜在9—80原子层厚度范围内(约为其热力学临界厚度的3—40 倍)均不形成失配位错,而在薄膜表面预置一个单原子层厚、三个原子直径大小的凸台或凹 坑时,失配位错则能够在15个原子层厚的外延膜上迅速形成:在动态沉积生长条件下,表面 自然形成凹凸,初始厚度为9个原子层厚的外延膜在沉积生长中迅速形成失配位错.在三种条 件下,所形成的位错均为伯格斯矢量与失配方向平行的全刃位错.分析发现:在压应力作用 下,表面微凸台诱发了其侧薄膜内部原子的挤出,造成位错形核;而表面微凹坑则直接因压 应力作用形成了一个表面半位错环核.
    Molecular dynamics simulations for the formation of misfit dislocation in compre ssive epitaxial aluminum films have been carried out. The potential in an embed ded atom method (EAM) is employed. The results show that, in long relaxation at 500K, the films with a perfect surface remain dislocation-free in thickness ran ge of 9—80 atomic layers, which corresponds to 3—40 times of its thermodynami c critical thickness. However, with the presence of small boss or pit of one-at om high and three-atom wide on surface, misfit dislocations form readily in film s of 15 atomic layer thick. In dynamic growth of a preset 9 atomic layer thick film, under deposition, the surface develops significant roughness naturally, l eading to rapid formation of misfit dislocation. The dislocations formed under the three conditions are all complete edge dislocations, with their Burgers vec tors parallel to the axis of misfit. Analysis revealed that, under compression , the micro-boss induces squeezing-out of atoms beside, leading to nucleation of a dislocation, and the micro-pit is directly reshaped to a nucleus of dislocat ion semi-loop.
    • 基金项目: 江西省自然科学基金(批准号:0350011)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-10-10
  • 修回日期:  2004-11-14
  • 刊出日期:  2005-07-07

外延生长薄膜中失配位错形成条件的分子动力学模拟研究

  • 1. 南昌大学材料科学与工程学院,南昌 330047
    基金项目: 江西省自然科学基金(批准号:0350011)资助的课题.

摘要: 运用分子动力学方法对负失配条件下的外延铝簿膜中失配位错的形成进行了模拟研究.所采 用的原子间相互作用势为嵌入原子法(EAM)多体势.模拟结果显示:在500K下长时间静态弛豫 ,表面和内部结构完整的外延膜在9—80原子层厚度范围内(约为其热力学临界厚度的3—40 倍)均不形成失配位错,而在薄膜表面预置一个单原子层厚、三个原子直径大小的凸台或凹 坑时,失配位错则能够在15个原子层厚的外延膜上迅速形成:在动态沉积生长条件下,表面 自然形成凹凸,初始厚度为9个原子层厚的外延膜在沉积生长中迅速形成失配位错.在三种条 件下,所形成的位错均为伯格斯矢量与失配方向平行的全刃位错.分析发现:在压应力作用 下,表面微凸台诱发了其侧薄膜内部原子的挤出,造成位错形核;而表面微凹坑则直接因压 应力作用形成了一个表面半位错环核.

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