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脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核区位置的确定

褚立志 卢丽芳 王英龙 傅广生

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脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核区位置的确定

褚立志, 卢丽芳, 王英龙, 傅广生

Determination of the region where Si nanoparticles form during pulsed laser ablation

Chu Li-Zhi, Lu Li-Fang, Wang Ying-Long, Fu Guang-Sheng
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-08-09
  • 修回日期:  2006-11-07
  • 刊出日期:  2007-03-05

脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核区位置的确定

  • 1. 河北大学物理科学与技术学院,保定 071002
    基金项目: 河北省自然科学基金(批准号:E2005000129)资助的课题.

摘要: 为了确定纳米Si晶粒气相成核的位置,采用XeCl准分子激光器,在10Pa氩气环境下,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在距离等离子羽正下方2.0cm处、与其轴线平行放置一系列单晶Si或玻璃衬底,沉积制备了纳米Si薄膜. X射线衍射、Raman散射、扫描电子显微镜和原子力显微镜结果均显示,纳米Si晶粒只在距靶约0.5—2.8cm平行距离范围内的样品上形成,在此范围内,随着离靶平行距离的增大,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸逐渐减小,并且晶粒尺寸的分布也发生变化. 根据成核区起始和终止的突变特征,结合晶粒形成后的平抛运动规律,对晶粒气相成核的位置进行了估算.

English Abstract

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