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基于二维囚禁离子实现受控非门、交换门和相位门

艾凌艳 杨 健 张智明

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基于二维囚禁离子实现受控非门、交换门和相位门

艾凌艳, 杨 健, 张智明

Generation of C-NOT gate, swap gate and phase gate based on a two-dimensional ion trap

Ai Ling-Yan, Yang Jian, Zhang Zhi-Ming
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-11-05
  • 修回日期:  2008-02-17
  • 刊出日期:  2008-09-20

基于二维囚禁离子实现受控非门、交换门和相位门

  • 1. 华南师范大学信息光电子科技学院,光子信息技术广东省高校重点实验室,广州 510006
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60578055)和国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2007CB925204)资助的课题.

摘要: 研究了二维囚禁离子与光场相互作用系统中几种基本量子逻辑门的实现方案.通过适当选取激光场与离子内部跃迁频率的失谐量,简化了系统的哈密顿量,并进一步推导出受控非门(C-NOT门)、交换门与相位门的实现方法.在此过程中,系统需满足Lamb-Dicke极限,并要求光场的Rabi振荡频率远远小于离子的振动频率.

English Abstract

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