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Sol-gel法制备Bi0.85Nd0.15FeO3多铁性薄膜

郭冬云 李超 王传彬 沈强 张联盟 Tu Rong Goto Takashi

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Sol-gel法制备Bi0.85Nd0.15FeO3多铁性薄膜

郭冬云, 李超, 王传彬, 沈强, 张联盟, Tu Rong, Goto Takashi

Preparation of multiferroic of Bi0.85Nd0.15FeO3 thin films prepared by sol-gel method

Guo Dong-Yun, Li Chao, Wang Chuan-Bin, Shen Qiang, Zhang Lian-Meng, Tu Rong, Goto Takashi
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  • 利用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi0.85Nd0.15FeO3薄膜.研究退火温度对其晶相形成的影响,发现在450 ℃退火时,Bi0.85Nd0.15FeO3晶相开始形成,但是结晶较差,而且存在杂相;在500—600 ℃退火可以获得单相Bi0.85Nd0.15FeO3薄膜,退火温度升高有利于其结晶.对600 ℃退火的Bi0.85Nd0.15FeO3薄膜的介电、铁电和电磁性能进行了测试.在测试频率为1 MHz时,其介电常数和介电损耗分别为145,0.032;饱和磁化强度大约为44.8 emu/cm3;剩余极化值(2Pr)大约是16.6 μC/cm2.
    The Bi0.85Nd0.15FeO3 thin films were prepared on the Pt/Ti/SiO2/Si substrates by Sol-gel method.The effect of annealing temperature on formation of Bi0.85Nd0.15FeO3 phase was investigated. It was found that the Bi0.85Nd0.15FeO3 phase was formed and coexisted with the impurity phase when the films annealed at 450 ℃. The single-phase Bi0.85Nd0.15FeO3 films were obtained,when they were annealed at 500—600 ℃. Bi0.85Nd0.15FeO3 films annealed at 600 ℃ had saturated magnetization about 44.8 emu/cm3, remnant polarization (2Pr) about 16.6 μC/cm2,dielectric constant 145 and dielectric loss 0.032(1 MHz), respectively.
    • 基金项目: 中国科学技术部国际科技合作计划(批准号: 2009DFB50470),国家自然科学基金青年科学基金(批准号: 50902108)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-06-01
  • 修回日期:  2009-12-02
  • 刊出日期:  2010-04-05

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