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立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅲ)——硅中双空位态的波函数

任尚元 茅德强 李名复

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立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅲ)——硅中双空位态的波函数

任尚元, 茅德强, 李名复

ELECTRONIC STRUCTURE OF THE DIVACANCY IN CUBIC SEMICONDUCTORS (Ⅲ)——WAVEFUNCTIONS OF THE DIVACANCY STATES IN SI

REN SHANG-YUAN, MAO DE-QIANG, LI MING-FU
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-01-06
  • 刊出日期:  2005-07-14

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅲ)——硅中双空位态的波函数

  • 1. (1)中国科学技术大学物理系; (2)中国科学技术大学研究生院
    基金项目: 中国科学院科学基金

摘要: 利用文献[1]中的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了硅中理想双空位的Eg和Eu态的波函数,讨论了计算结果和ESR与ENDOR谱的比较。

English Abstract

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