搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

基于两端自发荧光辐射的808nm半导体激光器增益偏振特性实验表征和能带分析

马明磊 吴坚 杨沐 宁永强 商广义

引用本文:
Citation:

基于两端自发荧光辐射的808nm半导体激光器增益偏振特性实验表征和能带分析

马明磊, 吴坚, 杨沐, 宁永强, 商广义
cstr: 32037.14.aps.62.174209

Experimental characterization of polarization gain properties of 808nm semiconductor laser and analysis of energy band based on amplified spontaneous emissions from double facets

Ma Ming-Lei, Wu Jian, Yang Mu, Ning Yong-Qiang, Shang Guang-Yi
cstr: 32037.14.aps.62.174209
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  7989
  • PDF下载量:  560
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2013-03-16
  • 修回日期:  2013-04-21
  • 刊出日期:  2013-09-05

/

返回文章
返回