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深能级对AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管性能的影响

张兴宏 胡雨生 吴 杰 程知群 夏冠群 徐元森 陈张海 桂永胜 褚君浩

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深能级对AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管性能的影响

张兴宏, 胡雨生, 吴 杰, 程知群, 夏冠群, 徐元森, 陈张海, 桂永胜, 褚君浩

INFLUENCE OF DEEP LEVELS ON THE PERFORMANCE OF AlGaInP/GaAs HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

ZHANG XING-HONG, HU YU-SHENG, WU JIE, CHENG ZHI-QUN, XIA GUAN-QUN, XU YUAN-SEN, CHEN ZHANG-HAI, GUI YONG-SHENG, CHU JUN-HAO
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-09-02
  • 刊出日期:  1999-03-20

深能级对AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管性能的影响

  • 1. (1)中国科学院红外物理国家重点实验室,上海 200083; (2)中国科学院上海冶金研究所,上海 200050
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:69576035)及中国科学院红外物理国家重点实验室资助的课题.

摘要: 用深能级瞬态光谱和光致发光(PL)方法研究了AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)发射区AlGaInP中的深能级.得到了两个深能级,分别为Ec-Et1=0.42eV和Ec-Et2=0.59eV,其复合截面为σn1=6.27×10-17cm2和σn2=6.49×10-20cm2.

English Abstract

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